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资料编号:1118891
 
资料名称:NSS35200MR6T1G
 
文件大小: 45K
   
说明
 
介绍:
35V 2A LOW VCE(sat) PNP High Current Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NSR30CM3T5G
http://onsemi.com
4
包装 维度
DIM 最小值 NOM 最大值
毫米
一个
0.45 0.50 0.55
b
0.15 0.21 0.27
b1
0.25 0.31 0.37
C
0.07 0.12 0.17
D
1.15 1.20 1.25
E
0.75 0.80 0.85
e
0.40 bsc
H
1.15 1.20 1.25
L
0.15 0.20 0.25
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 bsc
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
最小值 NOM 最大值
英寸
E
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: 毫米.
3. 最大 含铅的 厚度 包含 含铅的
完成. 最小 含铅的 厚度 是 这 最小
厚度 的 根基 材料.
4. 维度 d 和 e 做 不 包含 模型
flash, 突出物 或者 门 burrs.
D
b1
E
b
e
一个
L
C
H
−Y−
−X−
x0.08 (0.0032) Y
2X
E
1
2
3
样式 3:
管脚 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
1.0
0.039
mm
英寸
规模 20:1
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
SOT−723
情况 631aa−01
公布 b
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详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
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