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资料编号:1119100
 
资料名称:NCP1835
 
文件大小: 133K
   
说明
 
介绍:
Dual Linear Voltage Regulators with Vin and Vout Voltage Detector
 
 


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NCP4330
http://onsemi.com
9
详细地 运行 描述
介绍
这 ncp4330 是 设计 为 向前, 多样的 输出
电源供应 使用 同步的 整流. 一个 输出
是 traditionally 管制 感谢 至 一个 规章制度 arrangement
那 modulates 这 向前 转换器 职责 循环. 这 其它
输出 是 管制 用 一个 双 场效应晶体管 arrangement
驱动 用 这 ncp4330. 这 high−side 场效应晶体管 转变 在
一个 部分 的 这 向前 转换器 on−time, 当 这
low−side 电源 转变 是 在 为 这 rest 的 这 时期 (自由
转动).
这 sequencing 的 这 切换 阶段, 包含
over−laps 那 结果 在仅有的 一个 hard 切换 (high−side
转变在). 这 三 其它 transitions 是 软 为 一个 最佳的
效率.
这 同步的 整流 使能 至 保持 一个
持续的 传导 模式 (ccm) 运作 whatever
这 加载 是, 作 这个 技巧 准许 至 send 后面的 一些
活力 对着 这 输入 (明亮的 加载 情况). 在
持续的 传导 模式 (ccm), 这 向前 职责
循环 是 simply 给 用 这 下列的 等式:
d
f
Vout1
(n
s
n
p
)*vin
在哪里: d
f
是 这 向前 职责 循环,
−n
s
/n
p
是 这 变压器 转变 比率 (n
p
: primary
号码 的 转变, n
s
: secondary 号码 的 转变),
vin 是 这 向前 转换器 输入 电压,
vout1 是 这 主要的 输出 电压 的 这 向前
转换器.
这 post−regulated 输出 电压 是 给 用 这
下列的 等式:
Vout
n
d
n
*
n
s
n
p
*vin,
在哪里 d
n
是 这 职责 循环 的 这 post−regulator n, 和
d
n
< d
f
自从 (n
s
*vin/n
p
) 是 有 仅有的 在 这
向前 转换器 on−time.
Post−regulated输出 电压 是然后 必然地 更小的
比 这 主要的 管制 一个.
sequencing 和 规章制度 块
这 定时 图解 的 页 2 portrays 这 阶段
sequencing.
典型地, 一个 规章制度 arrangement injects 一个 电流 在
管脚 5, 在 顺序 至 调整 这 high−side 场效应晶体管 职责 循环.
管脚 5 电流 是 内部 mirrored 在 顺序 至 承担 这
C
ramp
电容. 一个 内部的 比较器 (1.0 v hysteresis)
发现当 这 电容 电压 超过 这 2.5 v 内部的
涉及. 在那 moment, 这 low−side 场效应晶体管 转变 止.
100 ns 后来的 (典型地), 这 high–side 场效应晶体管 switches 在
和 keeps 在 直到 (下列的 这 转变 止 的 这 向前
转换器电源 转变) 一个 重置 信号 是 应用 至 管脚 3.
在 那 时间, 一个 内部的 转变 grounds 这 c
ramp
管脚 和
abruptly discharges 这 c
ramp
电容. 作 一个 consequence,
这 内部的 比较器 转变 低 和 forces 这 low−side
场效应晶体管在. 这 high−side 场效应晶体管 转变 止 100 ns 后来的.
在 这 100 ns 在 这个 两个都 高 和 低 一侧
mosfets 是 在, 这 场效应晶体管 q1 的 这 应用
图式 是 止 和 非 活力 能 然后 是 描绘 从 这
转换器变压器.因此, 这些 100 ns 应当 不 是
考虑 作 一个 部分的 这 high−side 场效应晶体管 传导
时间 这个 能 是 计算 作 跟随:
t
在_hs
T
sw
t
RST
t
ls, HS
t
承担
在哪里: T
sw
是 这 向前 切换 时期,
−t
RST
是 这 c
ramp
重置 时间 在 这个 这
电容 是 保持 grounded,
−t
ls,hs
是 这 延迟 在 这 low−side 转变 止
和 这 high−side 转变 在. 在 这个 时间,
100 ns 典型地, 这 二 驱动器 是 在 低 状态,
−t
承担
是 这 时间 需要 至 承担 这 c_ramp
电容 向上 至 这 2.5 v 涉及 电压.
给 那:
t
承担
C
ramp
*Vref
I
ramp
在哪里: C
ramp
是 这 电容 连接 至 这 c_ramp
管脚,
−I
ramp
是 这 电流 injected 在 这 i_ramp 管脚,
vref 是 这 2.5 v 涉及 电压,
这 下列的 等式 dictates 这 high−side 场效应晶体管 职责
循环:
d
在_hs
1
t
RST
t
ls, HS
C
ramp
*Vref
I
ramp
T
sw
这 下列的 曲线 给 d
在_hs
相比这 电流 i
ramp
在 这 下列的 情况: 400 khz 切换 频率,
250 ns重置 脉冲波 持续时间, 100 ns 切换延迟 (在
ls 和 hs), 100 pf c
ramp
电容.
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