NCP1575
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4
最大 比率
比率 值 单位
运行 接合面 温度 150
°
C
存储 温度 范围 −65 至 150
°
C
静电释放 susceptibility (人 身体 模型) 2.0 kV
静电释放 susceptibility (charged 设备 模型) 200 V
含铅的 温度 焊接: 软熔焊接: (便条 1) 230 顶峰
°
C
潮气 敏锐的 水平的 2 −
包装 热的 阻抗, soic−8: junction−to−case, r
JC
junction−to−ambient, r
JA
48
165
°
c/w
°
c/w
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现. 最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制
值(不 正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是 超过, 设备 函数的 运作 is 不 暗指,
损坏 将 出现 和 可靠性 将 是 影响.
1. 60 第二 最大 在之上 183
°
c.
最大 比率
管脚 名字 标识 V
最大值
V
最小值
I
源
I
下沉
ic 电源 输入 V
CC
20 v −0.5 v n/一个 1.5 一个 顶峰, 450 毫安 直流
补偿 电容 竞赛 6.0 v −0.5 v 10 毫安 10 毫安
电压 反馈 输入 V
FB
6.0 v −0.5 v 1.0 毫安 1.0 毫安
频率 调整 R
OSC
6.0 v −0.5 v 1.0 毫安 1.0 毫安
high−side 场效应晶体管 驱动器 门(h) 20 v −0.5 v, −2.0 v 为 50 ns 1.5 一个 顶峰, 200 毫安 直流 1.5 一个 顶峰, 200 毫安 直流
low−side 场效应晶体管 驱动器 门(l) 20 v −0.5 v, −2.0 v 为 50 ns 1.5 一个 顶峰, 200 毫安 直流 1.5 一个 顶峰, 200 毫安 直流
地面 地 0.5 v −0.5 v 1.5 一个 顶峰, 450 毫安 直流 n/一个
电的 特性
(0
°
c < t
J
< 125
°
c, 9.0 v < v
CC
< 20 v, c
门(h)
= c
门(l)
= 3.3 nf,
C
竞赛
= 0.1
f,R
OSC
= 74 k
; 除非 否则 指定.) 便条 2
典型的
测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
错误 放大器
V
FB
偏差 电流 V
FB
= 0 v − 0.4 2.0
一个
竞赛 源 电流 竞赛 = 1.5 v, v
FB
= 0.8 v 15 30 60
一个
竞赛 下沉 电流 竞赛 = 1.5 v, v
FB
= 1.2 v 15 30 60
一个
涉及 电压 竞赛 = v
FB
T
J
< 25
°
C
0.970
0.965
0.980
0.980
0.990
0.995
V
V
竞赛 最大值 电压 V
FB
= 0.8 v 2.4 3.1 − V
竞赛 最小值 电压 V
FB
= 1.2 v − 0.1 0.2 V
竞赛 故障 释放 电流 在 uvlo 竞赛 = 1.2 v, v
CC
= 6.9 v 0.5 1.2 − 毫安
竞赛 故障 释放 门槛 至
重置 uvlo
− 0.1 0.25 0.3 V
打开 循环 增益 − − 98 − dB
统一体 增益 带宽 − − 20 − kHz
psrr @ 1.0 khz − − 70 − dB
输出 跨导 − − 32 − mmho
输出 阻抗 − − 2.5 − M
2. 特性 在 温度 extremes 是 有保证的 通过 correlation 使用 质量 statistical 控制 方法.
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