绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2500V
静电释放 Susceptibility (便条 5) 250V
接合面 温度 150˚C
热的 阻抗
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 150˚c/w
θ
JA
(微观的 smd) 220˚c/w
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 190˚c/w
θ
JA
(llp) 220˚c/w (便条 9)
焊接 信息
看 一个-1112 ’microSMD Wafers 水平的 碎片 规模
包装’.
看 一个-1187 ’Leadless 引线框架 包装 (llp)’.
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.2v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5v, 一个
V
= 2, 和 8
Ω
加载 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4892
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (便条 7)
I
DD
安静的 电源 供应 电流
V
在
= 0v, I
o
= 0a, HP sense = 0V 4 10 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, HP sense = 5V 2.5 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 Vshutdown = 地 (便条 8) 0.1 µA (最大值)
P
o
输出 电源
THD = 2% (最大值), f = 1khz,
R
L
=8
Ω
, HP Sense
<
0.8v
1
W
THD = 1% (最大值), f = 1khz,
R
L
=32
Ω
, HP Sense
>
4V
90
mW
V
IH
HP Sense 高 输入 电压 4 V (最小值)
V
IL
HP Sense 低 输入 电压 0.8 V (最大值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.4 W
rms
; f = 1kHz 10Hz
≤
BW
≤
80kHz
0.1
%
PSSR 电源 供应 拒绝 比率 V
波纹
= 200mV sine p-p 62 (f =
217hz) 66 (f
= 1khz)
dB
电的 特性 V
DD
= 3.3v
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 3.3v, 一个
V
= 2, 和 8
Ω
加载 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4892
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (便条 7)
I
DD
安静的 电源 供应 电流
V
在
= 0v, I
o
= 0a, HP sense = 0V 3.5 毫安 (最大值)
V
在
= 0v, I
o
= 0a, HP sense = 3.3v 2.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 Vshutdown = 地 (便条 8) 0.1 µA (最大值)
P
o
输出 电源
THD = 1% (最大值), f = 1khz,
R
L
=8
Ω
, HP Sense
<
0.8v
0.4 W
THD = 1% (最大值), f = 1khz,
R
L
=32
Ω
, HP Sense
>
3V
35 mW
V
IH
HP Sense 高 输入 电压 2.6 V (最小值)
V
IL
HP Sense 低 输入 电压 0.8 V (最大值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.15 W
rms
; f = 1kHz 10Hz
≤
BW
≤
80kHz
0.1
%
LM4892
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