绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+
0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2000V
静电释放 Susceptibility (便条 5) 200V
接合面 温度 150˚C
焊接 信息
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 和 它们的 影响 在
产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接 表面
挂载 设备.
热的 阻抗
θ
JC
(m08a) 35˚c/w
θ
JA
(m08a) 170˚c/w
θ
JC
(mua08a) 56˚c/w
θ
JA
(mua08a) 190˚c/w
θ
JA
(lda08b) 67˚c/w
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C
供应 电压 2.0v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性
(便条 1) (便条 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5v, 为 所有 有 包装, 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
=
25˚C
标识 参数 情况
LM4900
单位
(限制)
典型
(便条 6)
限制
(注释 7,
9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A (便条 8) 4 6.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN1
=V
DD
0.1 5 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
O
输出 电源 THD = 1% (最大值); f = 1khz; R
L
=8
Ω
; 675 300 mW (最小值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
O
= 400 mwrms; 一个
VD
=2;r
L
=8
Ω
;
20Hz
≤
f
≤
20khz, BW
<
80kHz
0.4 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 V
波纹
= 200mV sine p-p
dB
f = 217Hz (便条 10) 70
f = 1KHz (便条 10) 67
f = 217Hz (便条 11) 55
f = 1KHz (便条 11) 55
电的 特性
(便条 1) (便条 2)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 3.3v, 为 所有 有 包装, 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
=
25˚C
标识 参数 情况
LM4900
单位
(限制)
典型
(便条 6)
限制
(注释 7,
9)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A (便条 8) 3 5 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN1
=V
DD
0.1 3 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
O
输出 电源 THD = 1% (最大值); f = 1khz; R
L
=8
Ω
; 265 mW (最小值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
O
= 250 mwrms; 一个
VD
=2;r
L
=8
Ω
;
20Hz
≤
f
≤
20khz, BW
<
80kHz
0.4 %
LM4900
www.国家的.com3