绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (便条 9) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 4) 2000V
静电释放 Susceptibility (便条 5) 200V
接合面 温度 150˚C
热的 阻抗
θ
JA
(bpa08ddb) 220˚c/w (便条 10)
θ
JA
(sdc08a) 64˚c/w (便条 12)
θ
JA
(tla09aaa) 180˚c/w (便条 10)
θ
JA
(bla09aab) 180˚c/w (便条 10)
θ
JC
(mub10a) 56˚c/w
θ
JA
(mub10a) 190˚c/w
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.2v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性 V
DD
=5V
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4879
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 8)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, 8
Ω
BTL 5 10 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
关闭
= 地 0.1 2.0 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 5 40 mV (最大值)
P
o
输出 电源 THD+N = 1% (最大值); f = 1kHz 1.1 0.9 W (最小值)
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.4wrms; f = 1kHz 0.1 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
V
波纹
= 200mVsine p-p, C
B
=
1.0µf
输入 terminated 和 10
Ω
至
地面
68 (f = 1khz)
62 (f =
217hz)
55 dB (最小值)
V
SDIH
关闭 高 输入 电压 1.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 低 输入 电压 0.4 V (最大值)
T
WU
wake-向上 时间 C
B
= 1.0µf 80 110 ms (最大值)
N
输出
输出 噪音
一个-weighted; 量过的 横过 8
Ω
BTL
输入 terminated 和 10
Ω
至
地面
26 µV
RMS
电的 特性 V
DD
= 3.0v
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 这 电路 显示 在 图示 1 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4879
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 8)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, 8
Ω
BTL 4.5 9 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
关闭
= 地 0.1 2.0 µA (最大值)
V
OS
输出 补偿 电压 5 40 mV (最大值)
P
o
输出 电源 THD+N = 1% (最大值); f = 1kHz 350 320 mW
THD+N 总的 调和的 Distortion+Noise P
o
= 0.15wrms; f = 1kHz 0.1 %
PSRR 电源 供应 拒绝 比率
V
波纹
= 200mVsine p-p, C
B
=
1.0µf
输入 terminated 和 10
Ω
至
地面
68 (f = 1khz)
62 (f =
217hz)
55 dB (最小值)
V
SDIH
关闭 高 输入 电压 1.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 低 输入 电压 0.4 V (最大值)
T
WU
wake-向上 时间 C
B
= 1.0µf 80 110 ms (最大值)
LM4879
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