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资料编号:1120654
 
资料名称:KTC8550S
 
文件大小: 84K
   
说明
 
介绍:
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
 
 


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2003. 9. 19 2/3
KTJ6164S
修订 非 : 1
流-源 电压 v (v)
流 电流 i (毫安)
D
0
DS
0
i - v
DDS
流 电流 i (一个)
向前 转移 admittance
D
y - i
门-源 电压 v (v)
流 电流 i (毫安)
D
DS
(低 电压 区域)
一般 源
ta=25 c
v =-2.6v
GS
v =-2.8v
-2.6v
-3.0v
-3.2v
-3.4v
-3.6v
-2.4v
GS
0
0
-0.4
ta=25 c
一般 源
fs D
fs
y (s)
一般 源
v =-10v
DS
一般 源
v =-10v
DS
-12-10-2 -4 -6 -8
-40
-80
-120
-160
-200
-2.8v
-2.4v
-3.0v
-3.2v
-3.4v
-3.6v
-0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4
-40
-80
-120
-160
-200
i - v
DSD
流 电流 i (毫安)
门-源 votage v (v)
GS
D
i - v
DGS
流-源 在 电压 v (mv)
流 电流 i (毫安)
D
ds(在)
v - i
ds(在) D
ta=25 c
电容 c (pf)
流-源 电压 v (v)
DS
c - v
DS
Ta=100 c
ta=25 c
Ta=-55 c
v =0
f=1MHz
ta=25 c
GS
一般 源
C
iss
C
oss
rss
C
-0.1m
0
-1 -2 -3 -4 -5
-1m
-10m
-100m
-1
-6 -7
-0.1 -0.3-0.5 -1 -3 -5 -10 -50-30
3
5
10
30
50
100
300
500
-1 -3 -10 -30 -100 -300
10
30
50
100
300
500
一般 源
v =-10v
DS
ta=25 c
-1 -3 -10 -30 -100 -300
-1
-3
-5
-10
-30
-50
-100
-300
-500
-1k
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