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资料编号:1120670
 
资料名称:KTC3876S
 
文件大小: 85K
   
说明
 
介绍:
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
 
 


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2004. 11. 26 2/3
KTC5242A
修订 非 : 0
C
集电级 电流 i (一个)
0
0
集电级-发射级 电压 v (v)
CE
CEC
i - v
集电级 电流 i (一个)
直流 电流 增益 h
100
0.01 0.03 0.1 0.3
C
FE
1k
h - i
根基-发射级 饱和
集电级 电流 i (一个)
0.01 0.03 0.1 0.3
C
0.03
是(sat)
v - i
集电级-发射级 饱和
集电级 电流 i (一个)
集电级 电流 i (一个)
转变 频率 f (mhz)
0.01 0.03
T
0.1 0.3
C
f - i
C
ce(sat)
v - i
2 4 6 8 10 12 14 16
2
4
6
8
10
12
一般 发射级
ta=25 c
i =20ma
B
300
200
140
100
80
60
40
根基-发射级 电压 v (v)
集电级 电流 i (一个)
0
0
C
i - v
CBE
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
3
6
9
12
一般 发射级
v =5v
CE
ta=100 c
T
a=-25 c
FE C
1 3 10 20
3
5
10
30
50
300
500
一般 发射级
v =5v
CE
ta=100 c
ta=25 c
ta=-25 c
ce(sat) C
电压 v (v)
0.05
0.1
0.01
0.01
0.005
0.003
0.03
0.03 0.3 1 3 10 20
1
0.1
0.3
0.5
一般 发射级
i /i =10
C
B
Ta=-25 c
ta=25 c
ta=100 c
是(sat)
1 3 10 20
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
一般 发射级
i /i =10
C
B
ta=-25 c
ta=100 c
TC
1310
0.5
1
3
5
10
30
50
100
一般 发射级
v =5v
tc=25 c
CE
C
电压 v (v)
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