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资料编号:1120982
资料名称:
IS62WV5128BLL
文件大小: 91K
说明
:
介绍
:
512K x 8 LOW VOLTAGE,ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003. 12. 12
3/4
2N3906E
修订 非 : 0
C
0
集电级 电流 i (毫安)
集电级 电流 i (毫安)
0
C
0
根基-发射级 电压 v (v)
是
是
C
i - v
10
直流 电流 增益 h
FE
-3-1-0.3-0.1
集电级 电流 i (毫安)
C
0
集电级-发射级 电压 v (v)
CE
CEC
i - v
h - i
C
集电级 电流 i (毫安)
集电级-发射级 饱和
ce(sat)
v - i
根基-发射级 饱和
集电级 电流 i (毫安)
C
是(sat)
v - i
-1
-2
-3
-4
-20
-40
-60
-80
-100
一般 发射级
ta=25 c
i =-0.1ma
B
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-40
-80
-120
-160
-200
ta=125 c
Ta
=25
C
ta=-55
C
一般 发射级
v =-1v
CE
FE
C
-10
-30
-100
-300
30
50
100
300
500
1k
一般 发射级
v =-1v
CE
ta=125 c
ta=25 c
ta=-55 c
ce(sat)
C
电压 v (v)
一般 发射级
-0.01
-0.1
-0.3
-1
-0.1
-0.03
-0.05
-0.3
-0.5
-1
-3
-10
-30
-100
i /i =10
C
-300
B
ta=125 c
ta=25 c
ta=-55 c
是(sat)
C
电压 v (v)
-3
ta=125 c
-0.3
-0.1
-0.1
-1
-0.5
-0.3
-1
-3
-10
ta=25 c
ta=-55 c
-30
-100
-300
一般 发射级
i /i =10
-5
-10
C
E
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
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