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资料编号:1121067
 
资料名称:IS61LV256AL
 
文件大小: 169K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
 
 


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整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
13
rev. 00A
10/07/04
ISSI
®
is61(64)lps12832a
is61(64)lps12836a is61(64)vps12836a
is61(64)lps25618a is61(64)vps25618a
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-250 -200
最大值 最大值
标识 参数 测试 情况
温度 范围 x18 x32/x36 x18 x32/x36 Uni
t
I
CC
交流 运行 设备选择, com. 225 225 200 200 毫安
供应 电流
OE
= v
IH
, zz
V
IL
, ind. 250 250 210 210
所有 输入
0.2v 或者 自动. 275 275 225 225
V
DD
– 0.2v,
循环 时间
t
KC
最小值
I
SB
备用物品 电流 设备deselected, com. 90 90 90 90 毫安
ttl 输入 V
DD
= 最大值., ind. 100 100 100 100
所有 输入
V
IL
或者
V
IH
, 自动. 120 120 120 120
ZZ
V
IL
, f = 最大值
I
SBI
备用物品 电流 设备deselected, com. 70 70 70 70 毫安
cmos 输入 V
DD
= 最大值., ind. 75 75 75 75
V
V
SS
+ 0.2v 或者 自动. 90 90 90 90
V
DD
– 0.2v 典型值
(2)
40 40
f = 0
I
SB
2
睡眠 模式 zz>v
IH
com. 30 30 30 30 毫安
ind. 35 35 35 35
自动. 45 45 45 45
典型值
(2)
25 25
便条:
1. 模式 管脚 有 一个 内部的 pullup 和 应当 是 系 至 v
DD
或者 v
SS
. 它 exhibits ±100µa 最大 泄漏 电流 当 系 至
V
SS
+ 0.2v 或者
V
DD
– 0.2v.
2. 典型 值 是 量过的 在 v
DD
= 3.3v, t
一个
= 25
o
c 和 不 100% 测试.
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