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5
rev. D
02/01/06
ISSI
®
is42s81600b, is42s16800b
管脚 功能
标识 类型 函数 (在 detail)
a0-a11
输入 管脚
地址 输入: a0-a11 是 抽样 在 这 起作用的
command (行-地址 a0-a11) 和 读/写 command (column 地址 a0-a9
(x8), 或者 a0-a8 (x16); 和 a10 defining 自动 precharge) 至 选择 一个 location 输出 的 这
记忆 排列 在 这 各自的 bank. a10 是 抽样 在 一个 precharge command
至 决定 如果 所有 banks 是 至 是 precharged (a10 高) 或者 bank 选择 用
ba0, ba1 (低). 这 地址 输入 也 提供 这 运算-代号 在 一个 加载 模式
寄存器 command.
ba0, ba1 输入 管脚
bank 选择 地址: ba0 和 ba1 定义 这个 bank 这 起作用的, 读, 写 或者
precharge command 是 正在 应用.
CAS
输入 管脚
CAS
, 在 conjunction 和 这
RAS
和
我们
, 形式 这 设备 command. 看 这
"command 真实 表格" 为 详细信息 在 设备 commands.
CKE
输入 管脚
这 cke 输入 确定 whether 这 clk 输入 是 使能. 这 next rising 边缘 的 这
clk 信号 将 是 有效的 当 是 cke 高 和 invalid 当 低. 当 cke 是 低,
这 设备 将 是 在 也 电源-向下 模式, 时钟 suspend 模式, 或者 自 refresh
模式.
cke 是 一个
异步的 i
nput.
CLK
输入 管脚
clk 是 这 主控 时钟 输入 为 这个 设备. 除了 为 cke, 所有 输入 至 这个 设备
是 acquired 在 同步 和 这 rising 边缘 的 这个 管脚.
CS
输入 管脚
这
CS
输入 确定 whether command 输入 是 使能 在里面 这 设备.
command 输入 是 使能 当
CS
是 低, 和 无能 和
CS
是 高. 这 设备
仍然是 在 这 previous 状态 当
CS
是 高.
dqml,
输入 管脚
dqml 和 dqmh 控制 这 更小的 和 upper 字节 的 这 i/o 缓存区. 在 读
DQMH 模式,dqml 和 dqmh 控制 这 输出 缓存区. whendqml ordqmh 是 低, 这
相应的 缓存区 字节 是 使能, 和 当 高, 无能. 这 输出 go 至 这
高 阻抗 状态 whendqml/dqmh 是 高. 这个 函数 corresponds 至
OE
在 常规的 drams. 在 写 模式,dqml 和 dqmh 控制 这 输入 缓存区. 当
dqml 或者 dqmh 是 低, 这 相应的 缓存区 字节 是 使能, 和 数据 能 是
写 至 这 设备. whendqml 或者 dqmh 是 高, 输入 数据 是 masked 和 不能
是 写 至 这 设备. 为 is42s16800b 仅有的.
DQM 输入 管脚 为 is42s81600b 仅有的.
DQ
0
-dq
7
或者 输入/输出 数据 在 这 数据 总线 是 latched 在 dq 管脚 在 写 commands, 和 缓冲 为
DQ
0
-dq
15
输出 之后 读 commands.
RAS
输入 管脚
RAS
, 在 conjunction 和
CAS
和
我们
, 形式 这 设备 command. 看 这 "command
真实 表格" item 为 详细信息 在 设备 commands.
我们
输入 管脚
我们
, 在 conjunction 和
RAS
和
CAS
, 形式 这 设备 command. 看 这 "command
真实 表格" item 为 详细信息 在 设备 commands.
V
DDQ
电源 供应 管脚
V
DDQ
是 这 输出 缓存区 电源 供应.
V
DD
电源 供应 管脚
V
DD
是 这 设备 内部的 电源 供应.
V
SSQ
电源 供应 管脚
V
SSQ
是 这 输出 缓存区 地面.
V
SS
电源 供应 管脚
V
SS
是 这 设备 内部的 地面.
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