IS42S16400D
ISSI
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12
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. 一个
12/07/05
直流 电的 特性
(推荐 运作 情况 除非 否则 指出.)
标识 参数 测试 情况 速 最小值 最大值 单位
I
IL
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
DD
, 和 管脚 其它 比 –5 5 µA
这 测试 管脚 在 0v
I
OL
输出泄漏电流 输出 是 无能, 0v
≤
V
输出
≤
V
DD
–5 5 µA
V
OH
输出 高 电压 水平的 I
输出
= –2 毫安 2.4 — V
V
OL
输出 低 电压 水平的 I
输出
= +2 毫安 — 0.4 V
I
CC1
运行 电流
(1,2)
一个 bank 运作,
CAS
latency =3 com. -6 — 95 毫安
burst 长度=1 com. -7 — 85 毫安
t
RC
≥
t
RC
(最小值.) ind. -7 — 145 毫安
I
输出
= 0ma
I
CC2P
precharge 备用物品 电流 CKE
≤
V
IL
(
最大值
)t
CK
= 15ns com. — — 2 毫安
ind. — — 4 毫安
I
CC2PS
(在 电源-向下 模式) t
CK
=
∞
com. — — 1 毫安
ind. — — 3 毫安
I
CC2N
(3)
precharge 备用物品电流 CKE
≥
V
IH
(
最小值
)t
CK
= 15ns — — 20 毫安
I
CC2NS
(在 非 电源-向下 模式) t
CK
=
∞
com. — — 15 毫安
ind. — — 15 毫安
I
CC3P
起作用的 备用物品 电流 CKE
≤
V
IL
(
最大值
)t
CK
= 10ns com. — — 7 毫安
ind. — — 7 毫安
I
CC3PS
(在 电源-向下 模式) t
CK
=
∞
com. — — 5 毫安
ind. — — 5 毫安
I
CC3N
(3)
起作用的 备用物品 电流 CKE
≥
V
IH
(
最小值
)t
CK
= 15ns — — 30 毫安
I
CC3NS
(在 非 电源-向下 模式) t
CK
=
∞
com. — — 25 毫安
ind. — — 25 毫安
I
CC4
运行 电流 t
CK
= t
CK
(
最小值
)
CAS
latency =3 com. -6 — 130 毫安
(在 burst 模式)
(1)
I
输出
= 0ma com. -7 — 100 毫安
bl = 1 ind. -7 — 110 毫安
I
CC5
自动-refresh 电流 t
RC
= t
RC
(
最小值
)
CAS
latency =3 com. -6 — 150 毫安
t
CLK
= t
CLK
(
最小值
) com. -7 — 130 毫安
ind. -7 — 150 毫安
I
CC6
自-refresh 电流 CKE
≤
0.2v — — 1 毫安
注释:
1. 这些 是 这 值 在 这 最小 循环 时间. 自从 这 电流 是 瞬时, 这些 值 decrease 作 这 循环 时间
增加. 也 便条 那 一个 绕过 电容 的 在 least 0.01 µf 应当 是 inserted 在 v
DD
和 地 为 各自 记忆
碎片 至 压制 电源 供应 电压 噪音 (电压 drops) 预定的 至 这些 瞬时 电流.
2. Icc
1
和 icc
4
取决于 在 这 输出 加载. 这 最大 值 为 icc
1
和 icc
4
是 得到 和 这 输出 打开 状态.
3. 输入 信号 chnage once 每 30ns.
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