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资料编号:1121145
 
资料名称:IS42S32200C1
 
文件大小: 488K
   
说明
 
介绍:
512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS42S16400C1
ISSI
®
6
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. E
10/25/05
真实 表格 – commands 和 dqm 运作
(1)
函数
CSCS
CSCS
CS
RASRAS
RASRAS
RAS
CASCAS
CASCAS
CAS
WEWE
WEWE
我们
DQM 地址 DQs
command inhibit (nop) H X X X X X X
非 运作 (nop) L H H H X X X
起作用的 (选择 bank 和 活动 行)
(3)
L L H H X bank/行 X
读 (选择 bank/column, 开始 读 burst)
(4)
lhlhl/h
(8)
bank/col X
写 (选择 bank/column, 开始 写 burst)
(4)
L H L L l/h
(8)
bank/col 有效的
burst terminate L H H L X X 起作用的
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks)
(5)
L L H L X 代号 X
自动 refresh 或者 自 refresh
(6,7)
LLLHXXX
(enter 自 refresh 模式)
加载 模式 寄存器
(2)
L L L L X 运算-代号 X
写 使能/输出 使能
(8)
L 起作用的
写 inhibit/输出 高-z
(8)
H 高-z
注释:
1. cke 是 高 为 所有 commands 除了 自 refresh.
2. a0-a11 定义 这 运算-代号 写 至 这 模式 寄存器.
3. a0-a11 提供 行 地址, 和 ba0, ba1 决定 这个 bank 是 制造 起作用的.
4. a0-a7 (x16) 提供 column 地址; a10 高 使能 这 自动 precharge 特性 (nonpersistent), 当 a10 低 使不能运转
自动 precharge; ba0, ba1 决定 这个 bank 是 正在 读 从 或者 写 至.
5. a10 低: ba0, ba1 决定 这 bank 正在 precharged. a10 高: 所有 banks precharged 和 ba0, ba1 是 “don’t care.”
6. 自动 refresh 如果 cke 是 高, 自 refresh 如果 cke 是 低.
7. 内部的 refresh 计数器 控制 行 寻址; 所有 输入 和 i/os 是 “don’t care” 除了 为 cke.
8. activates 或者 deactivates 这 dqs 在 写 (零-时钟 延迟) 和 读 (二-时钟 延迟).
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