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fn9042.7
12月 28, 2004
可以 cancel 这 usefulness 的 这些 低 电感
组件. 咨询 和 这 生产者 的 这 加载
电路系统 为 明确的 解耦 (所需的)东西.
使用 仅有的 specialized 低-等效串联电阻 电容 将 为
切换-调整器 applications, 在 300khz, 为 这 大(量)
电容. 在 大多数 cases, 多样的 electrolytic 电容 的
小 情况 大小 执行 更好的比 一个 单独的 大 情况
电容.
这 稳固 必要条件 在这 选择 的 这 输出
电容 是 那 这 ‘esr 零’, f
Z
, 是 在 1.2khz 和
30khz. 这个 范围 是 设置 用 一个 内部的, 单独的 补偿
零 在 6khz. 这 等效串联电阻 零 能 是 一个 因素 的 five 在 也
一侧 的 这 内部的 零 和 安静的 contribute 至 增加
阶段 余裕 的 这 控制 循环. 因此:
在 conclusion, 这 输出 capacitors 必须 满足 三 criteria:
1. 它们 必须 有 sufficient 大(量) 电容 至 支持 这
输出 电压 在 一个 加载 瞬时 当 这 输出
inductor 电流 是 slewing 至 这 值 的 这 加载
瞬时
2. 这 等效串联电阻 必须 是 sufficiently 低 至 满足 这 desired
输出 电压 波纹 预定的 至 这 输出 inductor 电流,
和
3. 这 等效串联电阻 零 应当 是 放置, 在 一个 相当 大 范围,
至 提供 额外的 阶段 余裕.
输出 inductor 选择
这 输出 inductor 是 选择 至 满足 这 输出 电压
波纹 (所需的)东西. 这 inductor 值 确定 这
转换器’s 波纹 电流 和 the 波纹 电压 是 一个 函数
的 这 波纹 电流 和 输出 电容(s) 等效串联电阻. 这 波纹
电压 expression 是 给 在 这 电容 选择 部分
和 这 波纹 电流 是 近似 用 这 下列的
等式:
在哪里 f
s
是 这 切换 频率.
输入 电容 选择
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容(s) 是
这 电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 大(量) 输入 电容 和 电压 和
电流 比率 在之上 这 maximum 输入 电压 和 largest
rms 电流 必需的 用 这 电路. 这 电容 电压
比率 应当 是 在 least 1.25 时间 更好 比 这
最大 输入 电压 和 1.5 时间 是 一个 conservative
指导原则.
这 交流 rms 输入 电流 varies 和 加载. 取决于 在
这 specifics 的 这 输入 电源 和 它’s 阻抗, 大多数 (或者
所有) 的 这个 电流 是 有提供的 用 这 输入 电容(s).
使用 一个 混合 的 输入 绕过 capacitors 至 控制 这 电压
波纹 横过 这 mosfets. 美国e 陶瓷的 电容 为 这
高 频率 解耦 和 大(量) 电容 至 供应 这
rms 电流. 小 陶瓷的 capacitors 能 是 放置 非常
关闭 至 这 upper 场效应晶体管 至 压制 这 电压 induced
在 这 parasitic 电路 阻抗.
为 板 设计 那 准许 通过-孔 组件, 这
sanyo os-con® 序列 提供 低 等效串联电阻 和 好的
温度 效能.
为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum 电容 能 是
使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和 关于 至 这
电容 surge 电流 比率. 这些 电容 必须 是
有能力 的 处理 这 surge-电流 在 电源-向上. 这 tps
序列 有 从 avx 是 surge 电流 测试.
场效应晶体管 仔细考虑
这 逻辑 水平的 mosfets 是 选择 为 最佳的 效率
给 这 可能地 宽 在放 电压 范围 和 输出
电源 (所需的)东西. 一个 双 n-频道 或者 二 n-频道
mosfets 是 使用 在 各自 的 这 同步的 调整的
buck 转换器 为 这 输出. 这些 mosfets 应当 是
选择 为基础 在之上 r
ds(在)
, 门 供应 (所需的)东西,
和 热的 管理 仔细考虑.
这 电源 消耗 包含 二 丧失 组件;
传导 丧失 和 切换 丧失. 这些 losses 是
distributed 在 这 upper 和 更小的 mosfets
符合 至 职责 循环 (看这 下列的 equations). 这
传导 losses 是 这 主要的 组件 的 电源
消耗 为 这 更小的 mosfets. 仅有的 这 upper 场效应晶体管
有 重大的 切换 losses, 自从 这 更小的 设备 转变
在 和 止 在 near-零 电压.
这 equations 假设 直线的 电压-电流 transitions 和
做 不 模型 电源 丧失 预定的 至 这 反转-恢复 的 这
更小的 场效应晶体管’s 身体 二极管.
这 门-承担 losses 是 dissipated 用 这 isl6224 和
做 不 热温 这 mosfets. 不管怎样, 一个 大 门-承担
增加 这 切换 时间, t
SW
这个 增加 这 upper
场效应晶体管 切换 losses. ensure 那 两个都 mosfets 是
在里面 它们的 最大 接合面 温度 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合 至
包装 热的-阻抗 规格.
C
输出
1
2
π
等效串联电阻 f
Z
×××
-------------------------------------------
=
∆
I
L
V
在
V
输出
–
F
S
L
×
--------------------------------
V
输出
V
在
----------------
×
=
P
UPPER
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
S
×
2
----------------------------------------------------
+=
P
更小的
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
---------------------------------------------------------------------------------
=
ISL6224
os-con® 是 一个 注册 商标 的 sanyo electric 公司, 有限公司. (日本)
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