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资料编号:1122212
 
资料名称:ISL6225
 
文件大小: 376K
   
说明
 
介绍:
Dual Mobile-Friendly PWM Controller with DDR Memory Option
 
 


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fn9042.7
12月 28, 2004
运作-模式 控制
这 模式-控制 电路 changes 这 转换器’s 模式 的
运作 为基础 在 这 电压 极性 的 这 阶段 node
当 这 更小的 场效应晶体管 是 组织 和 just 在之前 这
upper 场效应晶体管 转变 在. 为 持续的 inductor 电流,
这 阶段 node 是 负的 当 这 更小的 场效应晶体管 是
组织 和 这 转换器 运作 在 fixed-频率
pwm 模式 作 显示 在 图示 3. 当 这 加载 电流
减少 至 这 要点 在哪里 这 inductor 电流 flows
通过 这 更小的 场效应晶体管 在 这 ‘reverse’ 方向, 这
阶段 node 变为 积极的, 和 这 模式 是 changed 至
hysteretic.
一个 阶段 比较器 handles 这 定时 的 这 阶段 node
电压 感觉到. 一个 低 水平的 在 这 阶段 比较器 输出
indicates 一个 负的 阶段 电压 在 这 传导
时间 的 这 更小的 场效应晶体管. 一个 高 水平的 在 这 阶段
比较器 输出 表明s 一个 积极的 阶段 电压.
当 这 阶段 node 是 积极的 (阶段 比较器 高),
在 这 终止 的 这 更小的 mosfet 传导 时间, 为 第八
consecutive 时钟 循环, 这 模式 是 changed 至 hysteretic
作 显示 在 图示 3. 这 dashed 线条 表明 当 这
阶段 node 变得 积极的 和 这 阶段 比较器 输出
变得 高. 这 固体的 vertical 线条 在 1,2,...8 表明 这
抽样 时间, 的 这 阶段 比较器, 至 决定 这
极性 (sign) 的 这 阶段 node. 在 这 转变 在
pwm 和 hysteretic 模式 两个都 这 upper 和 更小的
mosfets 是 转变 止. 这 阶段 node 将 ‘ring’ 为基础
在 这 输出 inductor 和 这parasitic 电容 在 这
阶段 node 和 settle 输出 在 这 值 的 这 输出 电压.
这 模式 改变 从 hysteretic至 pwm 能 是 造成 用
一个 的 二 events. 一个 事件 是 这 一样 mechanism 那
导致 一个 pwm 至 hysteretic transition. 但是 instead 的 looking
为 第八 consecutive 积极的 occurrences 在 这 阶段
node, 它 是 looking 为第八 consecutive 负的
occurrences 在 这 阶段 node. 这 运作 模式 将 是
changed 从 hysteretic 至 pwm 当 这些 第八
consecutive 脉冲 出现. 这个转变 技巧 阻止
jitter 的 这 运作 模式 在 加载 水平 关闭 至 boundary.
这 其它 mechanism 为 changing 从 hysteretic 至 pwm
是 预定的 至 一个 sudden 增加 在 the 输出 电流. 这个 步伐
加载 导致 一个 instantaneous decrease 在 这 输出 电压
预定的 至 这 电压 漏出 在 这 输出 电容 等效串联电阻. 如果 这
decrease 导致 这 输出电压 至 漏出 在下 这
hysteretic 规章制度水平的, 这 模式 是 changed 至 pwm 在
这 next 时钟 循环. 这个 insures 这 全部 电源 必需的 用
这 增加 在 输出 电流.
门 控制 逻辑
这 门 控制 逻辑 translates 发生 pwm 控制
信号 在 这 场效应晶体管 门 驱动 信号 供应
需要 放大器, 水平的 shifting 和 shoot-通过
保护. 也, 它 有 功能 那 帮助 优化 这 ic
效能 在 一个 宽 范围的 运算的 情况.
自从 场效应晶体管 切换 时间能 相异 dramatically 从
类型 至 类型 和 和 这 输入 电压, 这 门 控制 逻辑
提供 adaptive dead 时间 用 monitoring 这 门-至-
源 电压 的 两个都 upper 和 更小的 mosfets. 这
更小的 场效应晶体管 是 不 转变在 直到 这 门-至-源
电压 的 这 upper 场效应晶体管 有 decreased 至 较少 比
大概 1v. similarly, the upper 场效应晶体管 是 不 转变
在 直到 这 门-至-源 电压 的 这 更小的 场效应晶体管 有
decreased 至 较少 比 大概 1v. 这个 准许 一个 宽
多样性 的 upper 和 更小的 mosfets 至 是 使用 没有 一个
concern 为 同时发生的 传导, 或者 shoot-通过.
PWM
HYSTERETIC
1 2 3 4 5 6 7 8
VOUT
I
L
阶段
竞赛
模式
t
t
t
t
图示 2. hysteretic 运作 模式
运作
PWM
HYSTERETIC
1 23 4
5 6
7 8
I
L
阶段
竞赛
运作
模式
t
t
t
阶段
NODE
t
图示 3. 模式 控制 波形
ISL6224
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