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fn9100.2
january 3, 2006
isl6115eval1 板
这 isl6115eval1 是 配置 作 一个 +12v 高 一侧 转变
控制 和 这 cr 水平的 设置 在 ~1.5a. (看 图示 21 为
isl6115eval1 图式 和 表格 4. 为 bom.) 偏差 和
加载 连接 点 是 提供 along 和 测试 点 为
各自 ic 管脚.
和 这 碎片 至 是 片面的 从 这 +12v 总线 正在
切换, 通过 b2, 地 b5, 这 加载 连接 在
b3 和 b4 和 和 跳越者 j1 安装 这 isl6115 能 是
evaluated. pwron 管脚 pulls 高enabling 这 isl6115 如果 不
驱动 低.
和 r2 = 750
Ω
这 cr vth 是 设置 至 15mv 和 和 这
10m
Ω
sense 电阻 这 isl6115eval1 有 一个 名义上的 cr
水平的 的 1.5a. 这 0.047
µ
f 延迟 时间 至 获得-止 电容
结果 在 一个 名义上的 4.4ms before 获得-止 的 输出 之后 一个
oc 事件.
也 包含 和 这 isl6115eval1 板 是 一个 各自 的
这 isl6116, isl6117 和 isl6120 为 evaluation.
isl6116eval1 板
这 isl6116eval1 是 default 配置 作 一个 负的
电压 低 一侧 转变 控制 和 一个 ~2.4a cr 水平的.
(看 图示 22 为 isl6116eval1 图式 和 表格 4 为
bom 和 组件 描述.) 这个 基本 配置
是 有能力 的 controlling 两个都 大 积极的 或者 负的
潜在的 电压 和 minimal 改变.
偏差 和 加载 连接 点 是 提供 在 增加 至
测试 点, tp1-8 为 各自 ic 管脚. 这 terminals, j1 和 j4
是 为 这 总线 电压 和 返回, 各自, 和 这
更多 负的 潜在的 正在 连接 至 j4. 和 这 加载
在 terminals j2 和 j3 这 板 是 now 配置 为
evaluation. 这 设备 是 使能 通过 login, tp9 和
一个 ttl 信号. isl6116eval1 包含 一个 水平的 shifting 电路
和 一个 opto-连接 设备为 这 pwron 输入 所以 那
标准 ttl 逻辑 能 是 translated 至 这 -v 涉及 为
碎片 控制.
当 controlling 一个 积极的 电压, pwron 能 是
accessed 在 tp8.
这 isl6116eval1 是 提供 和 一个 高 电压 直线的
调整器 为 convenience 至 提供 碎片 偏差 从
±
24v 至
±
350v. 这个 能 是 移除 和 replaced 和 这 齐纳 &放大;
电阻 偏差 scheme 作 discussed 早期. 高 电压
regulators 和 电源 分离的 设备 是
非
变长
有 从 intersil 但是 能 是 purchased 从 其它
半导体 manufacturers.
reconfiguring 这 isl6116eval1 板 为 一个 高等级的 cr
水平的 能 是 完毕 用 changing 这 r
SENSE
和 r
ISET
电阻 值 作 这 提供 场效应晶体管 是 75a 评估. 如果
evaluation 在 >60v, 一个 alternate 场效应晶体管 必须 是 选择 和
一个 足够的 bv
DSS
.
图示 19. +350v 低 一侧 切换 cgate = 100pf 图示 20. +350v 低 一侧 切换 cgate = 1000pf
典型 效能 曲线
(持续)
2ms/div
+350V
0V
iout 1a/div
vdrain 50v/div
vgate 5v/div
pwron 5v/div
2ms/div
+350V
0V
iout 1a/div
pwron 5v/div
vgate 5v/div.
vdrain 50v/div
isl6115, isl6116, isl6117, isl6120
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