6
fn9100.2
january 3, 2006
应用 仔细考虑
在 这 软 开始 和 这 时间-输出 延迟 持续时间 和 这
ic 在 它的 电流 限制 模式, 这 v
GS
的 这 外部 n-频道
场效应晶体管 是 减少 驱动 这 mosfet 转变 在 一个 (直线的
区域) 高 r
ds(在)
状态. strike 一个 balance 在 这 cr
限制 和 这 定时 (所需的)东西 至 避免 时期 当 这
外部 n-频道 mosfets将 是 损坏 或者 destroyed
预定的 至 过度的 内部的 电源 消耗. 谈及 至 这
场效应晶体管 soa
信息 在 这 生产者’s 数据 薄板.
当 驱动 特别 大 电容的 负载 一个 变长 软
开始 时间 至 阻止 电流 规章制度 在之上 charging 和 一个
短的 cr 时间 将 提供 这 最好的 应用 解决方案 相关的
至 可靠性 和 场效应晶体管 mtf.
物理的 布局 的 r
SENSE
电阻
是 核心的 至 避免 这
possibility 的 false overcurrentoccurrences. ideally, 查出
routing 在 这 r
SENSE
电阻器 和 这 ic 是 作 直接
和 作 短的 作 可能 和 零 电流 在 这 sense 线条.
(看 图示 1.)
使用 这 isl6116 作一个 -48v 低 一侧 hot
swap 电源 控制
至 供应 这 必需的 v
DD
, 它 是 需要 至 维持 这
碎片 供应 10 至 16v 在之上 这 -48v 总线. 这个 将 是
accomplished 和 一个 合适的 调整器 在 这 电压
栏杆 和 管脚 5 (vdd). 用 使用 一个 调整器, 这 设计者 将
ignore 这 总线 电压 变化. 不管怎样, 一个 低-费用
alternative 是 至 使用 一个 齐纳 二极管 (看 图示 2 为 典型
5a 加载 控制); 这个 选项 是 详细地 在下.
便条 那 在 这个 configuration 这 pgood 特性 (管脚 7) 是
不 运算的 作 这 i
SEN
管脚 电压 是 总是 < uv
门槛.
看 计算数量 17 至 20 为 波形 相关的 至 -48v 和
其它 高 电压 产品.
偏置 这 isl6116
表格 3 给 典型 组件 值 为 偏置 这
isl6116 在 一个
±
48v 应用. 这 formulas 和
calculations deriving 这些 值 是 也 显示 在下.
当 使用 这 isl6116 至 控制 -48v, 一个 齐纳 二极管 将
是 使用 至 提供 这 +12v 偏差 至 这 碎片. 如果 一个 齐纳 是
使用 然后 一个 电流 限制 电阻 应当 也 是 使用.
一些 items 必须 是 带去 在 账户 当 choosing
值 为 这 电流 限制 电阻 (r
CL
) 和 齐纳 二极管
(dd1):
• 这 变化 的 这 v
总线
(在 这个 情况, -48v 名义上的)
• 这 碎片 供应 电流 needs 为 所有 函数的 情况
• 这 电源 比率 的 r
CL
.
• 这 电流 比率 的 dd1
Formulas
1. sizing r
CL
:
R
CL
= (v
总线,最小值
- 12)/I
碎片
2. 电源 比率 的 r
CL
:
P
RCL
= i
C
(v
总线,最大值
- 12)
3. dd1 电流 比率:
I
DD1
= (v
总线,最大值
- 12)/R
CL
准确无误的
至 isen 和
电流
sense 电阻
INCORRECT
图示 1. sense 电阻 pcb 布局
R
ISET
表格 3. 典型 值 为 一个 -48v hot swap
应用
标识 参数
R
CL
1.58k
Ω
, 1w
DD1 12v 齐纳 二极管, 50ma 反转 电流
V
总线
加载
1
2
3
4
8
7
6
5
ISL6116
PWRON
NC
图示 2.
-48v
R
CL
DD1
12V
1.58k
Ω
1W
0.01µf
0.047µf
1.47k
Ω
0.005
1%
0.001µf
2k
Ω
1%
isl6115, isl6116, isl6117, isl6120
: 点此下载
