5.1 4
idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 16k (2k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
注释:
3089 tbl 10
1. T
一个
= + 25
°
C
2. t
RC
= 读 循环 时间.
3. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
(la 版本 仅有的) v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
– 0.2v
直流 电的 特性
(1)
(持续)
V
CC
= 5.0v
±
10%, v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
- 0.2v
注释:
3089 tbl 09
1. 所有 值 是 最大 有保证的 值.
2. 0
°
c 至 + 70
°
c 温度 范围 仅有的.
3. –55
°
c 至 + 125
°
c 温度 范围 仅有的.
4. f
最大值
= 1/t
RC
, 仅有的 地址 inouts 是 toggling 在 f
最大值
, f = 0 意思 地址 输入 是 不 changing.
V
CC
V
CC
数据 保持 特性 在 所有 温度 范围
典型值
(1)
最大值
标识 参数 测试 情况 最小值 2.0v 3.0v 2.0v 3.0v 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 — 2.0 — — — — V
I
CCDR
数据 保持 电流 mil. — 0.5 1.5 200 300
µ
一个
CS
≥
V
HC
com'l. — 0.5 1.5 20 30
t
CDR
(3)
数据 deselect 至 数据 V
在
≥
V
HC
或者
≤
V
LC
—0 — —— ns
保持 时间
t
R
(3)
运作 恢复 时间 t
RC
(2)
———— ns
|I
LI
| 输入 泄漏 电流 — — — 2 2
µ
一个
6116SA45 6116SA55
(3)
6116SA70
(3)
6116SA90
(3)
6116SA120
(3)
6116SA150
(3)
6116LA45 6116LA55
(3)
6116LA70
(3)
6116LA90
(3)
6116LA120
(3)
6116LA150
(3)
标识 参数 电源
com'l. mil. com'l. mil. com'l. mil. com'l. mil. com'l. mil. com'l. mil.
单位
I
CC1
运行 电源 供应 SA 80 90 — 90 — 90 — 90 — 90 — 90 毫安
电流,
CS
≤
V
IL
,
输出 打开, LA 75 85 — 85 — 85 — 85 — 85 — 85
V
CC
= 最大值., f = 0
I
CC2
动态 运行 SA 100 100 — 100 — 100 — 100 — 100 — 90 毫安
电流,
CS
≤
V
IL
,
V
CC
= 最大值., LA 90 95 — 90 — 90 — 85 — 85 — 85
输出 打开, f = f
最大值
(4)
I
SB
备用物品 电源 供应 SA 25 25 — 25 — 25 — 25 — 25 — 25 毫安
电流 (ttl 水平的)
CS
≥
V
IH
, v
CC
= 最大值., LA 20 20 — 20 — 20 — 25 — 15 — 15
输出 打开, f = f
最大值
(4)
I
SB1
全部 备用物品 电源 SA 2 10 — 10 — 10 — 10 — 10 — 10 毫安
供应 电流
(cmos 水平的),
CS
≥
V
HC
, LA 0.1 0.9 — 0.9 — 0.9 — 0.9 — 0.9 — 0.9
V
CC
= 最大值., v
在
≥
V
HC
或者 v
在
≤
V
LC
, f = 0
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