HIP6602BCRZ_集成电路资料查询网

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消逝 特性
消逝 维度:
271mils x 307mils x 19mils
±
1mils
接口 材料:
glassivation:
类型: sio
2
厚度: 8k
Å
±
1k
Å
顶 敷金属:
m1:6k
Å
±
1k
Å
si/al/cu
2k
Å
±
500
Å
TiW
m2:10k
Å
±
2k
Å
si/al/cu
组装 related 信息:
基质 潜在的:
V
DD
额外的 信息:
worst 情况 电流 密度:
2 x 10
5
一个/cm
2
晶体管 计数:
110, 874
敷金属 掩饰 布局
hs-6664rh
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(7) a3
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VSS
VSS
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dq6 (18)
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hs-6664rh

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4 消逝特性消逝维度: 271mils x 307mils x 19mils ± 1mils 接口材料: glassivation: 类型: sio 2 厚度: 8k Å ± 1k Å 顶敷金属: m1:6k Å ± 1k Å si/al/cu 2k Å ± 500 Å TiW m2:10k Å ± 2k Å si/al/cu 组装 related 信息: 基质潜在的: V DD 额外的信息: worst 情况电流密度: 2 x 10 5 一个/cm 2 晶体管计数: 110, 874 敷金属掩饰布局 hs-6664rh (2) a12 (3) a7 (7) a3 (6) a4 (5) a5 (4) a6 (28) vdd (27) P (26) nc (25) a8 (24) a9 (23) a11 (22) G VSS VSS VDD a2 (8) a1 (9) a0 (10) dq0 (11) dq1 (12) dq2 (13) 地 (14) dq3 (15) dq4 (16) dq5 (17) dq6 (18) dq7 (19) e (20) a10 (21) VDD hs-6664rh

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