3
绝对 最大 ratings 热的 信息
供应 电压, v
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0v
激励 电压, v
激励
- v
阶段
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0v
输入, 输出 或者 i/o 电压 . . . . . . . . . . . .地 -0.3v 至 v
CC
+0.3v
静电释放 分类 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 类 2
运行 情况
供应 电压, v
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±
10%
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
c 至 70
o
C
接合面 温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
c 至 125
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 1)
θ
JA
(
o
c/w)
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
tssop 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
最大 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . .300
o
C
(含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings”将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 热的 conductivity 测试 板 在 自由 空气. 看 tech brief tb379 f或者 详细信息.
电的 规格
推荐 运行 情况, 除非 否则 指出
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 供应 电流
名义上的 供应 I
CC
en = v
CC
; ugate 和 lgate 打开 - 5 - 毫安
关闭 供应 en = 0v - 50 100
µ
一个
电源-在 重置
rising v
CC
门槛 V
OCSET
= 4.5vdc - - 10.4 V
下落 v
CC
门槛 V
OCSET
= 4.5vdc 8.2 - - V
使能 - 输入 门槛 电压 V
OCSET
= 4.5vdc 0.8 - 2.0 V
rising v
OCSET
门槛 -1.27- V
振荡器
自由 运动 频率 R
T
= 打开, v
CC
= 12 185 200 215 kHz
总的 变化 6k
Ω
< r
T
至 地 < 200k
Ω
-15 - +15 %
ramp 振幅
∆
V
OSC
R
T
= 打开 - 1.9 - V
p-p
涉及
涉及 电压 1.258 1.270 1.282 V
错误 放大器
直流 增益 -88- dB
增益-带宽 产品 GBW - 15 - MHz
回转 比率 SR 竞赛 = 10pf - 6 - v/
µ
s
门 驱动器
upper 门 源 I
UGATE
V
激励
- v
阶段
= 12v, v
UGATE
= 6v 350 500 - 毫安
upper 门 下沉 R
UGATE
I
LGATE
= 0.3a - 5.5 10
Ω
更小的 门 源 I
LGATE
V
CC
= 12v, v
LGATE
= 6v 300 450 - 毫安
更小的 门 下沉 R
LGATE
I
LGATE
= 0.3a - 3.5 6.5
Ω
保护
ocset 电流 源 I
OCSET
V
OCSET
= 4.5vdc 170 200 230
µ
一个
软 开始 电流 I
SS
-10-
µ
一个
HIP6006
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