8
fn4640.5
十一月 18, 2004
hip1011 分割加载 应用
所有 的 这 members 的 这 hip1011 家族, 包含 这
hip1011b, 能 是 使用 在 一个 应用 在哪里 二
用电气 分开的 负载 是 至 是 powered 从 一个 一般
总线. 这个 将 出现 在 一个 系统 那 有 一个 电源
管理 特性 控制 用 一个 系统 控制 ic
invoking 一个 睡眠 或者 备用物品 状态. 因此 一个 加载 能 是 shut
向下 当 维持 电源 至 一个 第二 分开的 电路.
这 电路 显示 在 图示 7 显示 这 外部 fets, 和
sense 电阻 配置 为这 3.3v 和/或者 5v 加载 那
有 此类 一个 必要条件. 这 hip1011 是 represented 用 管脚
names 在 rectangles. q1 和 q2 是 这 n-频道 fets 为
各自 加载 在 这个 栏杆, 这些 是 sized appropriately 为 各自
加载. r1 和 r2 是 需要 至 拉 向下 这 供应 slot 管脚
或者 加载 当 slot 电源 是 无能 作 这 加载 释放
fets (q3) 在 这 visen 管脚 是 非 变长 连结 至 这
加载. 当 电源 是 转变 止 至 这 加载 这些 (~100
Ω
)
fets 转变 在, 因此 一些 低电流, (10ma) 持续 至
是 描绘 从 这 供应 在 增加 至 这 睡眠 加载
电流 结果 在 一个 4
o
C
消逝 温度 上升.
hip1011 高 电源 电路
instances 出现 当 一个 noncompliant card 是 设计 为
使用 在 一个 pci 环境. although 这 hip1011 家族 有
proven 至 是 非常 设计 有伸缩性的, controlling 高 电源
+12v 供应 需要 special 注意. 这个 是 预定的 至
热的 仔细考虑 那限制 这 整体的 电源
设备 在 这 +12v 供应 至 关于 1.5a. 至 地址 这个
一个 外部 增加 在 电路 作 显示 在 图示 8 使能 这
设计者 至 增加 这 oc monitoring 和 控制 的 一个 高
电源 +12v 供应 在 增加 至 这 3 其它 电源
供应. 这 hip1011 是 represented 用 管脚 names 在
rectangles.
这个 电路 primarily 需要 那 一个 外部 p-频道
场效应晶体管 是 连接 在 并行的至 这 内部的 hip1011
pmos 设备 和 那 这 分离的 设备 有 一个 更
更小的 r
ds(在)
值 比 这 内部的 pmos 设备 在 顺序
至 carry 这 majority 的 这 电流 加载. 用 monitoring 这
电压 横过 这 sense 电阻 carrying 这 联合的
加载 电流 的 两个都 这 内部的 和 外部 fets 和 用
使用 一个 比较器 和 一个 一般 模式 输入 电压
范围 至 这 积极的 栏杆 和 一个 低 输入 电压 门槛
补偿 至 减少 分发 losses, 一个 高 精确 oc
探测器 能 是 设计 至 控制 一个 更 高等级的 电流
加载 比 能 是 tolerated 用 这 hip1011.
一个 alternative 电路 为 moderate 电流 水平 在哪里 两个都
精度 和 费用 是 lowered 能 是 accomplished 用 一个
单独的 外部 p-频道 场效应晶体管 在 并行的 和 这
内部的 p-频道 场效应晶体管. 为 例子, 如果 2x 这 oc 水平的
是 desired 一个 0.3
Ω
r
ds(在)
p-频道 场效应晶体管 能 是 使用
因此 大概 doubling 这+12 iout 在之前 获得-止.
IOC
总的
= ioc
内部的
(1 + r
ds(在)
的 内部的
场效应晶体管/r
ds(在)
的 外部 场效应晶体管).
V
供应
图示 7. 分割 加载 电路
VS
VISEN
PWRON
3V5VG
R1
R2
至 睡眠 加载
至 全部 加载
R
SENSE
Q1
Q2
系统 电源 mgt 控制
Q3
+
-
FLTN
12VO
12VIN
至 +12v 加载
12VG
图示 8. 高 电源 +12v 电路
12VIN
R2
R3
R1
R
SENSE
Q1
Q2
HIP1011B
: 点此下载
