HIN238CPZ_集成电路资料查询网

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消逝 特性
消逝 维度
160 毫英寸 x 140 毫英寸
敷金属
Ty p e : 一个 l
厚度: 10k
Å
±
1k
Å
基质 潜在的
V+
PASSIVATION
类型: 渗氮 在 silox
渗氮 厚度: 8k
Å
silox 厚度: 7k
Å
晶体管 计数
238
处理
cmos metal 门
敷金属 掩饰 布局
HIN240
T3
输出
T1
输出
T2
输出
R2
在
R2
输出
T2
在
T1
在
R1
输出
R1
在
地
V
CC
C1+ V+ c1-
T4
输出
R3
输出
EN
R4
在
T4
在
R5
输出
v-c2-C2+
R3
在
R4
输出
T3
在
R5
在
关闭
T5
输出
T5
在
hin232, hin236, hin237, hin238, hin239, hin240, hin241

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13 消逝特性消逝维度 160 毫英寸 x 140 毫英寸敷金属 Ty p e : 一个 l 厚度: 10k Å ± 1k Å 基质潜在的 V+ PASSIVATION 类型: 渗氮在 silox 渗氮厚度: 8k Å silox 厚度: 7k Å 晶体管计数 238 处理 cmos metal 门敷金属掩饰布局 HIN240 T3 输出 T1 输出 T2 输出 R2 在 R2 输出 T2 在 T1 在 R1 输出 R1 在地 V CC C1+ V+ c1- T4 输出 R3 输出 EN R4 在 T4 在 R5 输出 v-c2-C2+ R3 在 R4 输出 T3 在 R5 在关闭 T5 输出 T5 在 hin232, hin236, hin237, hin238, hin239, hin240, hin241

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