CS82C55A_集成电路资料查询网

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fn3118.4
12月 21, 2005
消逝 特性
消逝 维度:
2159
µ
m x 2235
µ
m
敷金属:
Type: 一个l
厚度: 10k
Å
±
1k
Å
PASSIVATION:
类型: psg/渗氮
psg 厚度: 7k
Å
±
1.4k
Å
渗氮 厚度: 8k
Å
±
1.2k
Å
worst 情况 电流 密度:
9.1 x 10
4
一个/cm
2
敷金属 掩饰 布局
DG211
管脚 2
D1
管脚 3
S1
管脚 4
v-
管脚 5
地
管脚 6
S4
管脚 7
D4
管脚 8
在 4
管脚 9
在 3
管脚 10
D3
管脚 11
S3
管脚 12
VL
管脚 13
v+ (基质)
管脚 14
S2
管脚 15
D2
管脚 16
在 2
管脚 1
在 1
DG211

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5 fn3118.4 12月 21, 2005 消逝特性消逝维度: 2159 µ m x 2235 µ m 敷金属: Type: 一个l 厚度: 10k Å ± 1k Å PASSIVATION: 类型: psg/渗氮 psg 厚度: 7k Å ± 1.4k Å 渗氮厚度: 8k Å ± 1.2k Å worst 情况电流密度: 9.1 x 10 4 一个/cm 2 敷金属掩饰布局 DG211 管脚 2 D1 管脚 3 S1 管脚 4 v- 管脚 5 地管脚 6 S4 管脚 7 D4 管脚 8 在 4 管脚 9 在 3 管脚 10 D3 管脚 11 S3 管脚 12 VL 管脚 13 v+ (基质) 管脚 14 S2 管脚 15 D2 管脚 16 在 2 管脚 1 在 1 DG211

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