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资料编号:1123439
 
资料名称:CS80C286-16
 
文件大小: 252K
   
说明
 
介绍:
High Performance Microprocessor with Memory Management and Protection
 
 


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6
fn2979.2
8月 25, 2005
交流 电的 规格
V
CC
= 5.0v
±
10%;
T
一个
= 0°c 至 +70°c (c82c88);
T
一个
= -40°c 至 +85°c (i82c88);
T
一个
= -55°c 至 +125°c (m82c88)
标识
参数
8MHz 10MHz 12MHz
单位
测试
情况最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
定时 (所需的)东西
(1)
TCLCL clk 循环 时期 125 - 100 - 83 - ns
(2)
TCLCH clk 低 时间 55 - 50 - 34 - ns
(3)
TCHCL clk 高 时间 40 - 37 - 34 - ns
(4)
TSVCH 状态 起作用的 建制 时间 35 - 35 - 35 - ns
(5)
TCHSV 状态 inactive 支撑 时间 10 - 10 - 5 - ns
(6)
TSHCL 状态 inactive 建制 时间 35 - 35 - 35 - ns
(7)
TCLSH 状态 起作用的 支撑 时间 10 - 10 - 5 - ns
定时 responses
(8)
TCVNV 控制 起作用的 延迟 5 45 5 45 5 45 ns 1
(9)
TCVNX 控制 inactive 延迟 10 45 10 45 10 35 ns 1
(10)
TCLLH ale 起作用的 延迟 (从 clk) - 20 - 20 - 20 ns 1
(11)
TCLMCH mce 起作用的 延迟 (从 clk) - 25 - 23 - 23 ns 1
(12)
TSVLH ale 起作用的 延迟 (从 状态) - 20 - 20 - 20 ns 1
(13)
TSVMCH mce 起作用的 延迟 (从 状态) - 30 - 23 - 23 ns 1
(14)
TCHLL ale inactive 延迟 4 18 4 18 4 18 ns 1
(15)
TCLML command 起作用的 延迟 5 35 5 35 5 35 ns 2
(16)
TCLMH command inactive 延迟 5 35 5 35 5 35 ns 2
(17)
TCHDTL 方向 控制 起作用的 延迟 - 50 - 50 - 50 ns 1
(18)
TCHDTH 方向 控制 inactive 延迟 - 30 - 30 - 30 ns 1
(19)
TAELCH command 使能 时间 (便条 1) - 40 - 40 - 40 ns 3
(20)
TAEHCZ command 使不能运转 时间
(便条 2)
-40-40-40ns 4
(21)
TAELCV 使能 延迟 时间 110 250 110 250 110 250 ns 2
(22)
TAEVNV AEN
至 den - 25 - 25 - 25 ns 1
(23)
TCEVNV cen 至 den, pden -25-25-25ns 1
(24)
TCELRH cen 至 command - TCLML
+10
-tclml-tclmlns 2
(25)
TLHLL ale 高 时间 tclch -
10
- tclch -
10
- tclch -
10
nns 1
注释:
1. taelch 度量 是 在 1.5v 和 2.5v.
2. taehcz 量过的 在 0.5v 改变 在 vout.
82C8882C88
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