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rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 5. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
典型 gsm 边缘 performances
(在 freescale gsm 边缘 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, p
输出
=  50 w avg.,
I
DQ
= 650 毫安, 869 mhz<频率<894 mhz, 920 mhz<frequency<960 mhz
电源 增益
G
ps
— 18 — dB
流 效率
η
D
— 42 — %
错误 vector 巨大 EVM — 2.3 — % rms
谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 SR1 — -63 — dBc
谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 SR2 — -78 — dBc

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mrf5s9101nr1 mrf5s9101nbr1 mrf5s9101mr1 mrf5s9101mbr1 3 rf 设备数据 freescale 半导体表格 5. 电的特性 (t C = 25 ° c 除非否则指出) (持续) 典型的标识最小值 Typ 最大值单位典型 gsm 边缘 performances (在 freescale gsm 边缘测试 fixture, 50 ο hm 系统) v DD = 28 vdc, p 输出 = 50 w avg., I DQ = 650 毫安, 869 mhz<频率<894 mhz, 920 mhz<frequency<960 mhz 电源增益 G ps — 18 — dB 流效率 η D — 42 — % 错误 vector 巨大 EVM — 2.3 — % rms 谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 SR1 — -63 — dBc 谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 SR2 — -78 — dBc

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