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资料编号:1125709
 
资料名称:CY62148DV30LL-70SXI
 
文件大小: 489K
   
说明
 
介绍:
4-Mb (512K x 8) MoBL? Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY62148DV30
文档 #: 38-05341 rev. *b 页 3 的 11
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度 .................................. –65°c 至 +150°c
包围的 温度 和
电源 应用............................................... 55°c 至 +125°c
供应 电压 至 地面
潜在的 ........................................ –0.3v 至 v
cc(最大值)
+ 0.3v
直流 电压 应用 至 输出
在 高-z 状态
[4,5]
......................... –0.3v 至 v
cc(最大值)
+ 0.3v
直流 输入 电压
[4,5]
......................–0.3v 至 v
cc(最大值)
+ 0.3v
输出 电流 在 输出 (低)............................. 20 毫安
静态的 释放 电压.......................................... > 2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流..................................................... > 200 毫安
运行 范围
产品 范围
包围的
温度 V
CC
[6]
CY62148DV30L 工业的 –40°c 至 +85°c 2.2v 至 3.6v
CY62148DV30LL
产品 portfolio
产品
V
CC
范围 (v)
(ns)
电源 消耗
运行 i
CC
(毫安)
备用物品 i
SB2
(ua)f = 1 mhz f = f
最大值
最小值 Typ.
[7]
最大值 Typ.
[7]
最大值 典型值.
[7]
最大值 Typ.
[7]
最大值
CY62148DV30L 2.2 3.0 3.6 55 1.5 3 8 15 2 12
CY62148DV30LL 2.2 3.0 3.6 55 3 10 8
CY62148DV30L 2.2 3.0 3.6 70 1.5 3 8 15 2 12
CY62148DV30LL 2.2 3.0 3.6 70 3 10 8
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述 测试 情况
cy62148dv30-55 cy62148dv30-70
单位最小值 典型值
[7]
最大值 最小值 典型值
[7]
最大值
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –0.1 毫安 V
CC
= 2.20v 2.0 2.0 V
I
OH
= –1.0 毫安 V
CC
= 2.70v 2.4 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 0.1 毫安 V
CC
= 2.20v 0.4 0.4 V
I
OL
= 2.1 毫安 V
CC
= 2.70v 0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 V
CC
= 2.2v 至 2.7v 1.8 V
CC
+ 0.3v 1.8 V
CC
+ 0.3v V
V
CC
= 2.7v 至 3.6v 2.2 V
CC
+ 0.3v 2.2 V
CC
+ 0.3v V
V
IL
输入 低 电压 V
CC
= 2.2v 至 2.7v –0.3 0.6 –0.3 0.6 V
V
CC
= 2.7v 至 3.6v –0.3 0.8 –0.3 0.8 V
I
IX
输入 泄漏 电流 地 <V
I
<V
CC
–1 +1 –1 +1
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
地 <V
O
<V
CC
, 输出 无能 –1 +1 –1 +1
µ
一个
I
CC
V
CC
运行 供应
电流
f = f
最大值
= 1/t
RC
V
CC
= v
CCmax
I
输出
= 0 毫安
cmos 水平
L815 815mA
LL 10 10 毫安
f = 1 mhz L 1.5 3 1.5 3 毫安
LL 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
电流 — cmos
输入
CE
>V
CC
0.2v,
V
>v
CC
–0.2v, v
<0.2v)
f = f
最大值
(地址 和 数据 仅有的),
f = 0 (oe
, 和 我们), v
CC
=3.60v
L212 212
µ
一个
LL 8 8
I
SB2
自动 ce
电源-向下
电流 — cmos
输入
CE
>V
CC
– 0.2v,
V
> v
CC
– 0.2v 或者 v
<0.2v,
f = 0, v
CC
= 3.60v
L212 212
µ
一个
LL 8 8
注释:
4. V
il(最小值.)
= –2.0v 为 脉冲波 durations 较少 比 20 ns.
5. V
ih(最大值)
= v
CC
+0.75v 为 脉冲波 durations 较少 比 20 ns.
6. 全部 设备 交流 运作 假设 一个 100
µ
s ramp 时间 从 0 至 v
cc
(最小值) 和 200
µ
s wait 时间 之后 v
cc
stabilization.
7. 典型 值 是 包含 为 涉及 仅有的 和 是 不 有保证的 或者 测试. 典型 值 是 量过的 在 v
CC
= v
cc(典型值.)
, t
一个
= 25°c.
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