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资料编号:1125719
 
资料名称:CY62148BLL-70SC
 
文件大小: 495K
   
说明
 
介绍:
512K x 8 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
cy62148b mobl
文档 #: 38-05039 rev. *b 页 5 的 11
数据 保持 特性
(在 这 运行 范围)
参数 描述 情况 最小值 Typ.
[3]
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 2.0 V
I
CCDR
数据 保持 电流 Com
l LL 非 输入 将 超过
V
CC
+ 0.3v
V
CC
= v
DR
= 3.0v
CE
> v
CC
0.3v
V
> v
CC
0.3v 或者
V
< 0.3v
20
µ
一个
Ind
l LL 20
µ
一个
t
CDR
[4]
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 0 ns
t
R
[9]
运作 恢复 时间 t
RC
ns
数据 保持 波形
切换 波形
读 循环 非.1
[10, 11]
读 循环 非. 2 (oe控制)
[11, 12]
注释:
9. 全部 设备 operatin 需要 直线的 v
CC
ramp 从 v
DR
至 v
cc(最小值)
>100
µ
s 或者 稳固的 在 v
cc(最小值)
>100
µ
s.
10. 设备 是 continuously 选择. oe
, ce= v
IL
.
11. 我们
是 高 为 读 循环.
12. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce
转变 低.
3.0v3.0v
t
CDR
V
DR
> 2V
数据 保持 模式
t
R
CE
V
CC
previous 数据 有效的 数据 有效的
t
RC
t
AA
t
OHA
地址
数据 输出
50%
50%
数据 有效的
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
高 阻抗
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
OE
CE
I
SB
阻抗
地址
数据 输出
V
CC
供应
电流
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