MT4LC4M4A1DJ-6_集成电路资料查询网

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4 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d49_5v.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
4 meg x 4
fpm dram
交流 电的 特性
(注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) [vcc (min)

Vcc

vcc (最大值)]
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
refresh 时期 “s” 版本
t
REF 128 128 ms 140
ras# precharge 时间
t
RP 30 40 ns
ras# 至 cas# precharge 时间
t
RPC 5 5 ns
ras# precharge 时间 exiting 自 refresh
t
RPS 90 105 ns
读 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
RRH 0 0 ns 16
ras# 支撑 时间
t
RSH 13 15 ns
读-写 循环 时间
t
RWC 116 140 ns
ras# 至 we# 延迟 时间
t
RWD 67 79 ns 19
写 command 至 ras# 含铅的 时间
t
RWL 13 15 ns
转变 时间 (上升 或者 下降)
t
T250250ns
写 command 支撑 时间
t
WCH 8 10 ns
写 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
WCR 38 45 ns
we# command 建制 时间
t
WCS 0 0 ns 18
写 command 脉冲波 宽度
t
WP 5 5 ns
we# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
WRH 8 10 ns 4, 23
we# 建制 时间 (cbr refresh)
t
WRP 8 10 ns 4, 23

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7 4 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这正确的至改变产品或者规格没有注意. d49_5v.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司 4 meg x 4 fpm dram 交流电的特性 (注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) [vcc (min)  Vcc  vcc (最大值)] 交流特性 -5 -6 参数标识最小值最大值最小值最大值单位注释 refresh 时期 “s” 版本 t REF 128 128 ms 140 ras# precharge 时间 t RP 30 40 ns ras# 至 cas# precharge 时间 t RPC 5 5 ns ras# precharge 时间 exiting 自 refresh t RPS 90 105 ns 读 command 支撑时间 (关联至 ras#) t RRH 0 0 ns 16 ras# 支撑时间 t RSH 13 15 ns 读-写循环时间 t RWC 116 140 ns ras# 至 we# 延迟时间 t RWD 67 79 ns 19 写 command 至 ras# 含铅的时间 t RWL 13 15 ns 转变时间 (上升或者下降) t T250250ns 写 command 支撑时间 t WCH 8 10 ns 写 command 支撑时间 (关联至 ras#) t WCR 38 45 ns we# command 建制时间 t WCS 0 0 ns 18 写 command 脉冲波宽度 t WP 5 5 ns we# 支撑时间 (cbr refresh) t WRH 8 10 ns 4, 23 we# 建制时间 (cbr refresh) t WRP 8 10 ns 4, 23

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