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资料编号:112630
 
资料名称:TC58DVM72A1FT00
 
文件大小: 369.62K
   
说明
 
介绍:
128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
 
 


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tc58dvm72a1ft00/ tc58dvm72f1ft00
tc58dam72a1ft00/ tc58dam72f1ft00
2003-01-24 6/34
便条: (1)
CE
高 至 准备好 时间 取决于 在 这 拉-向上 电阻 系 至 这
用/ry
管脚.
(谈及 至 应用 便条 (9) 对着 这 终止 的 这个 文档.)
(2) sequential 读 是 terminated 当 t
CEH
是 更好 比 或者 equal 至 100 ns. 如果 这
RE
CE
延迟
是 较少 比 30 ns,
用/ry
信号 stays 准备好.
程序编制 和 erasing 特性
(ta =0° 至 70°c, v
CC
2.7 v 至 3.6 v)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 注释
t
PROG
程序编制 时间
200 1000
s
N
号码 的 程序编制 循环 在 一样

3 (1)
t
BERASE
块 erasing 时间
2 10 ms
(1): 谈及 至 应用 便条 (12) 对着 这 终止 的 这个 文档.
: 0 至 30 ns

busy 信号 是 不 输出.一个
CE
RE
t
CEH
100 ns
*
525
Busy
用/ry
*
: v
IH
或者 v
IL
一个526 527
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