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资料编号:1126712
 
资料名称:CY7C1049CV33-12ZXC
 
文件大小: 514K
   
说明
 
介绍:
4-Mbit (512K x 8) Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1049CV33
文档 #: 38-05006 rev. *e 页 7 的 11
读 循环 非. 2 (oe
控制)
[13, 14]
写 循环 非. 1(我们控制, oe高 在 写)
[15, 16]
注释:
14. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce
转变 低.
15. 数据 i/o 是 高-阻抗 如果 oe
= v
IH
.
16. 如果 ce 变得 高 同时发生地 和 我们
going 高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
17. 在 这个 时期 这 i/os 是 在 这 输出 状态 和 输入 信号 应当 不 是 应用.
切换 波形
(持续)
50%
50%
数据 有效的
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
高 阻抗
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
OE
CE
I
CC
I
SB
阻抗
地址
数据 输出
V
CC
供应
电流
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
数据
有效的
CE
地址
我们
数据 i/o
OE
便条
17
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