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一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.1-Sep.,2005
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2
一个PM4412K
一个bsoluteM一个ximumR一个tings
(T
一个
=25
°
Cunlessotherwise非ted)
Electric一个lCh一个r一个cteristics
(T
一个
=25
°
Cunlessotherwise非ted)
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压
30
V
GSS
门-源 电压
±20
V
I
D
*
Continuous流 电流
12
I
DM
*
300
µ
s搏动 流 电流
V
GS
=10V
45
一个
I
S
* 二极管 持续的 向前 电流
2
一个
T
J
最大 接合面 温度
150
T
STG
存储温度 范围 -55 至 150
°C
T
一个
=25°C 2
P
D
*
最大 电源 消耗
T
一个
=100°C 0.8
W
R
θ
JA
*
热的 阻抗-接合面 至 包围的
62.5
°C/W
便条:
*surface 挂载 在 1in
2
垫子 范围, t
≤
10sec.
APM4412K
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 特性
BV
DSS
流-源损坏 电压
V
GS
=0v, i
DS
=250
µ
一个
30 V
V
DS
=24v, v
GS
=0V 1
I
DSS
零 门 电压 流 电流
T
J
=85°C 30
µ
一个
V
gs(th)
门 门槛电压
V
DS
=V
GS
, i
DS
=250
µ
一个
1.3 1.7 2.5 V
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=±20v, v
DS
=0V ±100 nA
V
GS
=10v, i
DS
=12一个 9 12
R
ds(在)
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=4.5v, i
DS
=8一个 12 16
m
Ω
V
SD
一个
二极管 向前 电压 I
SD
=2.3a, v
GS
=0V 0.75 1.3 V
门承担 特性
b
Q
g
总的 门 承担 24.5 32
Q
gs
门-源 承担 4
Q
gd
门-流 承担
V
DS
=15v, v
GS
=10v,
I
DS
=12一个
8
nC