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资料编号:1128738
 
资料名称:APM2700C
 
文件大小: 527K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Cannel)
 
 


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




APM2700C
标识 参数 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 特性 (内容.)
I
SD
=0.5a, v
GS
=0v n-ch 0.8 1.3
V
SD
一个
二极管 向前 电压
I
SD
=-0.5a, v
GS
=0v p-ch -0.8 -1.3
V
动态 特性
b
n-ch 130
C
iss
输入 电容
p-ch 140
n-ch 25
C
oss
输出 电容
p-ch 40
n-ch 15
C
rss
反转 转移
电容
n-频道
V
GS
=0v,
V
DS
=20v,
频率=1.0mhz
p-频道
V
GS
=0v,
V
DS
=-20v,
频率=1.0mhz
p-ch 30
pF
n-ch 2 4
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
p-ch 3 6
n-ch 17 32
T
r
转变-在 上升 时间
p-ch 18 33
n-ch 4 8
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
p-ch 10 19
n-ch 18 33
T
f
转变-止 下降 时间
n-频道
V
DD
=10v, r
L
=10
,
I
DS
=1a, v
GEN
=4.5v,
R
G
=6
p-频道
V
DD
=-10v, r
L
=10
,
I
DS
=-1a, v
GEN
=-4.5v,
R
G
=6
p-ch 20 37
ns
门 承担 特性
b
n-ch 4.2 5.5
Q
g
总的 门 承担
p-ch 7 9
n-ch 0.6
Q
gs
门-源 承担
p-ch 1.1
n-ch 0.6
Q
gd
门-流 承担
n-频道
V
DS
=10v, v
GS
=4.5v,
I
DS
=1.8a
p-频道
V
DS
=-10v, v
GS
=-4.5v,
I
DS
=-1.2a
p-ch 1.1
nC
注释:
一个 : 脉冲波 测试 ; 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2
%.
b : 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.

(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
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