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资料编号:1128740
 
资料名称:APM3040ND
 
文件大小: 485K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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Copyright
一个NPECElectronicsCorp.
Rev.B.3-Oct.,2005
一个PM3055LU
www.一个npec.com.tw
2
一个bsoluteMaximumR一个tings
标识
参数 比率 单位
一般 比率
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
V
DSS
-源 电压
30
V
GSS
-源 电压
±20
V
T
J
最大 接合面 温度
150
T
STG
存储温度 范围 -55 至 150
°C
I
S
二极管 持续的ForwardCurrent T
C
=25°C
8
一个
挂载 在 大 热温 下沉
T
C
=25°C 50
I
DP
300µs 脉冲波流 电流测试
T
C
=100°C 30
T
C
=25°C 20
I
D
持续的流 电流
T
C
=100°C 12
一个
T
C
=25°C
50
P
D
最大 电源 消耗
T
C
=100°C
20
W
R
θ
JC
热的 阻抗-接合面 至 情况
2.5
°C/w
挂载 在 pcb 的 1in
2
Pad
一个rea
T
一个
=25°C 50
I
DP
300µs 脉冲波流 电流测试
T
一个
=100°C 30
T
一个
=25°C 4
I
D
持续的流 电流
T
一个
=100°C 3
一个
T
一个
=25°C
2.5
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=100°C
1
W
R
θ
JA
热的 阻抗-接合面 至 包围的 50 °C/w
挂载 在 pcb 的最小 footprint
T
一个
=25°C 50
I
DP
300µs 脉冲波流 电流测试
T
一个
=100°C 30
T
一个
=25°C 3
I
D
持续的流 电流
T
一个
=100°C 2
一个
T
一个
=25°C
1.6
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=100°C
0.6
W
R
θ
JA
热的 阻抗-接合面 至 包围的 75 °C/w
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