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资料编号:1128740
资料名称:
APM3040ND
文件大小: 485K
说明
:
介绍
:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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C
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M
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m
u
m
R
一个
t
i
ng
s
标识
参数
比率
单位
一般 比率
(t
一个
=25
°
c 除非 否则 指出)
V
DSS
流
-
源 电压
30
V
GSS
门
-
源 电压
±
20
V
T
J
最大 接合面 温度
150
T
STG
存储
温度 范围
-
55 至 150
°C
I
S
二极管 持续的
F
orward
C
u
rrent
T
C
=25
°C
8
一个
挂载 在 大 热温 下沉
T
C
=25
°C
50
I
D
P
300
µ
s 脉冲波
流 电流
测试
T
C
=100
°C
30
T
C
=25
°C
20
I
D
持续的
流 电流
T
C
=100
°C
12
一个
T
C
=25
°C
50
P
D
最大 电源 消耗
T
C
=100
°C
20
W
R
θ
JC
热的 阻抗
-
接合面 至 情况
2.5
°C
/w
挂载 在 pcb 的 1in
2
P
ad
一个
rea
T
一个
=25
°C
50
I
D
P
300
µ
s 脉冲波
流 电流
测试
T
一个
=100
°C
30
T
一个
=
25
°C
4
I
D
持续的
流 电流
T
一个
=
100
°C
3
一个
T
一个
=
25
°C
2.5
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=
100
°C
1
W
R
θ
JA
热的 阻抗
-
接合面 至 包围的
50
°C
/w
挂载 在 pcb 的
最小 footprint
T
一个
=25
°C
50
I
D
P
300
µ
s 脉冲波
流 电流
测试
T
一个
=100
°C
30
T
一个
=
25
°C
3
I
D
持续的
流 电流
T
一个
=
100
°C
2
一个
T
一个
=
25
°C
1.6
P
D
最大 电源 消耗
T
一个
=
100
°C
0.6
W
R
θ
JA
热的 阻抗
-
接合面 至 包围的
75
°C
/w
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