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资料编号:1128769
 
资料名称:APM1403S
 
文件大小: 415K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Ehhancement Mode MOSFET
 
 


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
1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10 30
0.01
0.1
1
2
挂载 在 1in
2
垫子
R
θ
JA
: 360
o
c/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
职责 = 0.5

-i
D
-
流 电流 (一个)
流 电流
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
safe 运作 范围
-v
DS
- 流 - 源 电压 (v)
热的 瞬时 阻抗
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
电源 消耗
P
tot
- 电源 (w)
T
j
- 接合面 温度 (
°
c)
-i
D
- 流 电流 (一个)
0 20406080100120140160
0.00
0.08
0.16
0.24
0.32
0.40
T
一个
=25
o
C
0 20406080100120140160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
一个
=25
o
c, v
G
=4.5v
normalized 瞬时 热的 阻抗
0.1 1 10 50
0.01
0.1
1
10
rds(在) 限制
1s
T
一个
=25
o
C
10ms
300
µ
s
1ms
100ms
直流
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