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资料编号:1130351
 
资料名称:AON4701
 
文件大小: 500K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
 
 


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AOP605
典型 电的 和 热的 特性: p-频道
0
5
10
15
20
25
30
012345
-v
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
-i
D
(一个)
V
GS
=-3v
-6v
-3.5v
-4v
-10v
0
5
10
15
20
25
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
-v
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
-i
D
(一个)
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0 5 10 15 20 25
-i
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
)
1.0e-06
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-v
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
-i
S
(一个)
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=-10v
V
GS
=-4.5v
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
345678910
-v
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
)
25°C
125°C
V
DS
=-5v
V
GS
=-4.5v
V
GS
=-10v
I
D
=-6.6a
25°C
125°C
I
D
=-6.6a
-4.5v
-5v
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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