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资料编号:1130364
 
资料名称:AOD464
 
文件大小: 424K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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AOD472
典型 电的 和 热的 特性
1.4
494 593
692 830
193
18
59
142
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
脉冲波 宽度 (s)
图示 16: normalized 最大 瞬时 热的 阻抗 (便条 h)
Z
θ
JA
normalized 瞬时
热的 阻抗
单独的 脉冲波
D=T
/t
T
j,pk
=T
一个
+P
DM
.z
θ
JA
.r
θ
JA
R
θ
JA
=50°c/w
T
T
P
D
在 descending 顺序
d=0.5
, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, 单独的 脉冲波
10
20
30
40
50
60
0.00001 0.0001 0.001
时间 在 avalanche, t
一个
(s)
图示 12: 单独的 脉冲波 avalanche 能力
I
D
(一个), 顶峰 avalanche 电流
0
10
20
30
40
50
60
0 25 50 75 100 125 150 175
T
情况
(°c)
图示 13: 电源 de-比率 (便条 b)
电源 消耗 (w)
0
10
20
30
40
50
60
0 25 50 75 100 125 150 175
T
情况
(°c)
图示 14: 电流 de-比率 (便条 b)
电流 比率 i
D
(一个)
T
一个
=25°C
0
10
20
30
40
50
0.01 0.1 1 10 100 1000
脉冲波 宽度 (s)
图示 15: 单独的 脉冲波 电源 比率 接合面-至-
包围的 (便条 h)
电源 (w)
T
一个
=25°C
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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