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资料编号:1130411
 
资料名称:AOB416
 
文件大小: 425K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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AOB416
典型 电的 和 热的 特性
0
20
40
60
80
100
120
0.00001 0.0001 0.001 0.01
时间 在 avalanche, t
一个
(s)
图示 12: 单独的 脉冲波 avalanche 能力
I
D
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175
T
情况
(°c)
图示 13: 电源 de-比率 (便条 b)
电源 消耗 (w)
T
一个
=25°C
DD
D
一个
VBV
IL
t
=
0
20
40
60
80
100
120
0 25 50 75 100 125 150 175
T
情况
(°c)
图示 14: 电流 de-比率 (便条 b)
电流 比率 i
D
(一个)
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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