标识 单位
V
DS
V
V
GS
V
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
I
FM
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
T
J
, t
STG
°C
标识 单位
R
θ
JL
R
θ
JL
搏动 流 电流
B
接合面 和 存储 温度 范围
2
W
肖特基 反转 电压 30
1.441.44power 消耗
最大值
°c/w
°c/w
场效应晶体管
30
±12
6.9
5.8
40
2
I
F
40
热的 特性 肖特基
62.5
48
55
90
持续的 流 电流
一个
门-源 电压
肖特基
流-源 电压
参数
-55 至 150
一个
绝对 最大 比率 t
一个
=25°c 除非 否则 指出
P
D
I
D
3
一个
2
40
持续的 向前 电流
一个
参数: 热的 特性 场效应晶体管
最大 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
-55 至 150
典型值
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
110
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
40
62.5maximum 接合面-至-包围的
一个
t
≤
10s
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
110
最大 接合面-至-含铅的
C
稳步的-状态
搏动 向前 电流
B
71
32
47.5
R
θ
JA
AO4900A
双 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
和 肖特基 二极管
特性
V
DS
(v) = 30v
I
D
= 6.9a (v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 27m
Ω
(v
GS
= 10v)
R
ds(在)
< 32m
Ω
(v
GS
= 4.5v)
R
ds(在)
< 50m
Ω
(v
GS
= 2.5v)
肖特基
V
DS
(v) = 30v, i
F
= 3a, v
F
=0.5v@1a
一般 描述
这 ao4900a 使用 先进的 trench 技术 至
提供 极好的 r
ds(在)
和 低 门 承担. 这
二 mosfets 制造 一个 紧凑的 和 效率高的 转变
和 同步的 整流器 结合体 为 使用 在 直流-
直流 转换器. 一个 肖特基 二极管 是 co-packaged 在
并行的 和 这 同步的 场效应晶体管 至 boost
效率 更远.
标准 产品 ao4900a 是 铅-
自由 (满足 rohs &放大; sony 259 规格).
ao4900al 是 一个 绿色 产品 订货 选项.
ao4900a 和 ao4900al 是 用电气 完全同样的.
soic-8
G1
S1
G2
s2/一个
D1
D1
d2/k
d2/k
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
D2
S2
K
一个
G1
D1
S1
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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