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资料编号:1130457
 
资料名称:AO4803
 
文件大小: 424K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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AO4900A
典型 电的 和 热的 特性
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 消费者 market. 产品 或者 使用 作 核心的
组件 在 生命 支持 设备 或者 系统 是 不 被授权的. aos 做 不 假设 任何 责任 产生
输出 的 此类 产品 或者 使用 的 它的 产品. aos reserves 这 正确的 至 改进 产品 设计,
功能 和 可靠性 没有 注意.
0
10
20
30
40
50
60
012345
V
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
I
D
(一个)
V
GS
=2V
2.5v
3V
4.5v
10V
0
4
8
12
16
20
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
I
D
(一个)
10
20
30
40
50
60
0 5 10 15 20
I
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
)
1.0e-06
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
I
S
(一个)
25°C
125°C
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=2.5v
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
V
GS
=4.5
V
GS
=10V
V
GS
=2.5v
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0246810
V
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=2.5v
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
I
D
=6.9a
25°C
125°C
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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