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资料编号:1130458
 
资料名称:AO4806
 
文件大小: 425K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AO4806
标识 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
20 V
10
T
J
=55°C
25
I
GSS
±10
µ
一个
BV
GSO
±12 V
V
gs(th)
0.5 0.75 1 V
I
d(在)
30 一个
11 14
T
J
=125°C
14.3 17
12.6 16
m
16.5 22
m
23.4 30
m
g
FS
37 S
V
SD
0.72 1 V
I
S
3A
C
iss
1810 pF
C
oss
232 pF
C
rss
200 pF
R
g
1.6
Q
g
17.9 nC
Q
gs
1.5 nC
Q
gd
4.7 nC
t
d(在)
3.3 ns
t
r
5.9 ns
t
d(止)
44 ns
t
f
7.7 ns
t
rr
22
ns
Q
rr
8.6 nC
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 消费者 market. 产品 或者 使用 作 核心的
组件 在 生命 支持 设备 或者 系统 是 不 被授权的. aos 做 不 假设 任何 责任 产生
输出 的 此类 产品 或者 使用 的 它的 产品. aos reserves 这 正确的 至 改进 产品 设计,
功能 和 可靠性 没有 注意.
V
DS
=0v, i
G
=±250uagate-源 损坏 电压
身体 二极管 反转 恢复 时间
身体 二极管 反转 恢复 承担
转变-止 下降 时间
切换 参数
总的 门 承担
V
GS
=4.5v, v
DS
=10v, i
D
=9.4a
门 源 承担
门 流 承担
转变-在 delaytime
V
GS
=10v, v
DS
=10v, r
L
=1.1
,
R
GEN
=3
反转 转移 电容
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
向前 跨导 V
DS
=5v, i
D
=9.4a
二极管 向前 电压 I
S
=1A
最大 身体-二极管 持续的 电流
动态 参数
输入 电容
V
GS
=0v, v
DS
=10v, f=1mhz
输出 电容
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=10v, i
D
=9.4a
m
V
GS
=4.5v, i
D
=8A
V
GS
=2.5v, i
D
=6A
V
GS
=1.8v, i
D
=4A
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
在 状态 流 电流 V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
V
DS
=16v, v
GS
=0V
µ
一个
门-源 泄漏 电流 V
DS
=0v, v
GS
=±10V
I
F
=9.4a, di/dt=100a/
µ
s
I
F
=9.4a, di/dt=100a/
µ
s
电的 特性 (t
J
=25°c 除非 否则 指出)
参数 情况
静态的 参数
流-源 损坏 电压 I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
一个: 这 值 的 r
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 挂载 在 1in
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 值
在 任何 给 应用 取决于 在 这 用户's 明确的 板 设计. 这 电流 比率 是 为基础 在 这 t
10s 热的 阻抗 比率.
b: repetitive 比率, 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度.
c. 这 r
θ
JA
是 这 总 的 这 热的 impedence 从 接合面 至 含铅的 r
θ
JL
和 含铅的 至 包围的.
d. 这 静态的 特性 在 计算数量 1 至 6 是 得到 使用 80
µ
s 脉冲, 职责 循环 0.5% 最大值
e. 这些 tests 是 执行 和 这 设备 挂载 在 1 在
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 soa
曲线 提供 一个 单独的 脉冲波 比率.
rev 3 : sept 2005
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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