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¡ 半导体
msm82c55a-2rs/gs/vjs
交流 特性
最小值 最大值
建制 时间 的 地址 至 这 下落 边缘 的
RD
t
AR
20
—ns
支撑 时间 的 地址 至 这 rising 边缘 的
RD
t
RA
0
—ns
参数
UnitSymbol
Remarks
建制 时间 的 地址 在之前 这 下落 边缘 的
WR
t
AW
0
—ns
加载
150 pf
(v
CC
= 4.5 v 至 5.5 v, ta = –40 至 +85°c)
msm82c55a-2
延迟 时间 从 这 下落 边缘 的
RD
至 这 输出 的
定义 数据
t
RD
—
120 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
RD
至 这 floating 的
数据 总线
t
DF
10
75 ns
时间 从 这 rising 边缘 的
RD
或者
WR
至 这 next 下落
边缘 的
RD
或者
WR
t
RV
200
—ns
RD
脉冲波 宽度
t
RR
100
—ns
支撑 时间 的 地址 之后 这 rising 边缘 的
WR
t
WA
20
—ns
WR
脉冲波 宽度
t
WW
150
—ns
建制 时间 的 总线 数据 在之前 这 rising 边缘 的
WR
t
DW
50
—ns
支撑 时间 的 总线 数据 之后 这 rising 边缘 的
WR
t
WD
30
—ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
WR
至 这 输出 的
定义 数据
t
WB
—
200 ns
建制 时间 的 端口 数据 在之前 这 下落 边缘 的
RD
t
IR
20
—ns
支撑 时间 的 端口 数据 之后 这 rising 边缘 的
RD
t
HR
10
—ns
ACK
脉冲波 宽度
t
AK
100
—ns
STB
脉冲波 宽度
t
ST
100
—ns
建制 时间 的 端口 数据 在之前 这 rising 边缘 的
STB
t
PS
20
—ns
支撑 时间 的 端口 总线 数据 之后 这 rising 边缘 的
STB
t
PH
50
—ns
延迟 时间 从 这 下落 边缘 的
ACK
至 这 输出 的
定义 数据
t
AD
—
150 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
ACK
至 这 floating 的
端口 (端口 一个 在 模式 2)
t
KD
20
250 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
WR
至 这 下落 边缘 的
OBF
t
WOB
—
150 ns
延迟 时间 从 这 下落 边缘 的 ack 至 这 rising 边缘 的
OBF
t
AOB
—
150 ns
延迟 时间 从 这 下落 边缘 的 stb 至 这 rising 边缘 的
IBF
t
SIB
—
150 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
RD
至 这 下落 边缘 的
IBF
t
RIB
—
150 ns
延迟 时间 从 这 这 下落 边缘 的
RD
至 这 下落 边缘
的 intr
t
RIT
—
200 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
STB
至 这 rising 边缘 的
INTR
t
SIT
—
150 ns
延迟 时间 从 这 rising 边缘 的
ACK
至 这 rising 边缘 的
INTR
t
AIT
—
150 ns
延迟 时间 从 这 下落 边缘 的
WR
至 这 下落 边缘 的
INTR
t
WIT
—
250 ns
便条: 定时 量过的 在 v
L
= 0.8 v 和 v
H
= 2.2 v 为 两个都 输入 和 输出.
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