飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU4522AX
分开 限制的 值 &放大; 典型的
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
isol
repetitive 顶峰 电压 从 所有 r.h.
≤
65 % ; clean 和 dustfree - - 2500 V
三 terminals 至 外部
散热器
C
isol
电容 从 t2 至 外部 f = 1 mhz - 22 - pF
散热器
静态的 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
2
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
- - 1.0 毫安
I
CES
V
是
= 0 v; v
CE
= v
CESMmax
; - - 2.0 毫安
T
j
= 125 ˚c
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 7.5 v; i
C
= 0 一个 - - 1.0 毫安
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
B
= 1 毫安 7.5 13.5 - V
V
CEOsust
集电级-发射级 sustaining 电压 I
B
= 0 一个; i
C
= 100 毫安; 800 - - V
l = 25 mh
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 7 一个; i
B
= 1.75 一个 - - 3.0 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 7 一个; i
B
= 1.75 一个 0.85 0.94 1.03 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 一个; v
CE
= 5 v - 10 -
h
FE
I
C
= 7 一个; v
CE
= 5 v 4.2 5.8 7.3
动态 特性
T
hs
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
切换 时间 (16 khz 线条 f = 16 khz; i
Csat
= 7 一个; i
B1
= 1.4 一个;
deflection 电路) (i
B2
= -3.5 一个)
t
s
转变-止 存储 时间 3.5 4.3
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 285 400 ns
切换 时间 (64 khz 线条 f = 64 khz; i
Csat
= 6 一个; i
B1
= 1.2 一个;
deflection 电路) (i
B2
= -3.6 一个)
t
s
转变-止 存储 时间 2.3 2.7
µ
s
t
f
转变-止 下降 时间 170 230 ns
2
量过的 和 half sine-波 电压 (曲线 tracer).
12月 1997 2 rev 1.000
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