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V6300
V6301
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绝对 最大 比率
参数 标识 情况
电压 在 v
DD
至 v
SS
V
DD
-0.3v 至 +10v
最小 电压 在 res 或者
RES
V
最小值
V
SS
– 0.3v
最大 电压 在 res 或者
RES
V
最大值
V
DD
+ 0.3v
存储 温度 范围 T
STO
-65°c 至 +150°c
表格 1
压力 在之上 这些 列表 最大 比率 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 暴露 在之外
指定 运行 情况 将 影响 设备 可靠性 或者
导致 运转.
处理 程序
这个 设备 有 建造-在 protection 相反 高 静态的
电压 或者 electric 地方; however, 它 是 advised 那 正常的
预防措施 是 带去 作 为 任何 其它 cmos 组件.
除非 否则 指定, 恰当的 运作 能 仅有的 出现
当 所有 终端 电压 是 保持 在里面 这 电压 范围.
运行 情况
参数 标识 最小值 最大值 单位
运行 温度
1)
T
一个
-40 +125 °c
积极的 供应 电压 V
DD
1 8 V
表格 2
1)
这 最大 运行 温度 是 confirmed 用
抽样 在 最初的 设备 资格.
电的 特性
T
一个
= -40 至 +85°c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值
最小值 @
25°C
典型值
最大值 @
25°C
最大值 单位
供应 电流
1)
I
DD
V
DD
= 2v
3)
1.5 2.1 3.1 µa
I
DD
V
DD
= 5v 3.0 3.9 5.7 µA
I
DD
V
DD
= 8v 5.2 6.8 10.0 µA
门槛 电压 V
TH
版本: 一个,g,m 1.77 1.84 1.95 2.04 2.17 v
V
TH
版本: b,h,n 2.09 2.18 2.32 2.41 2.55 v
V
TH
版本: c,i,o 2.48 2.59 2.73 2.86 3.03 v
V
TH
版本: d,j,p 3.11 3.23 3.42 3.59 3.80 v
V
TH
版本: e,k,q 3.55 3.70 3.88 4.08 4.32 v
V
TH
版本: f,l,r 4.05 4.22 4.42 4.67 4.95 v
门槛 hysteresis V
HYS
25 mv
res 输出 低 水平的 V
OL
V
DD
= 5v, i
OL
= 8ma 175 400 mV
V
OL
V
DD
= 3v, i
OL
= 4ma 140 300 mV
V
OL
V
DD
= 1v, i
OL
= 50µa 20 90 mV
res 输出 高 水平的 V
OH
V
DD
= 5v, i
OH
= -8ma 4.3 4.5 V
V
OH
V
DD
= 3v, i
OH
= -4ma 2.3 2.6 V
V
OH
V
DD
= 1v, i
OH
= -100µa 850 950 mV
输出 泄漏 电流
2)
I
LEAK
V
DD
= 8v 0.05 1 µA
表格 3
1)
res 或者RES 打开
2)
仅有的 为 打开 流 版本
3)
版本 一个, g 和 m 是 测试 在 v
DD
= 1.8v
定时 特性
V
DD
= 5.0v, t
一个
= -40 至 +85°c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电源 在 重置 时间:
V6300
V6301
t
POR
V6300
V6301
25
140
50
290
75
560
ms
ms
敏锐的
4)
t
SEN
为 v
DD
= 5v 至 3v 在 5µs 20 0.8 t
R
µs
reaction 时间
4)
t
R
为 v
DD
= 5v 至 3v 在 5µs
22 75 150 µs
表格 4
4)
测试 在 版本 和 v
TH
高等级的 比 3v
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