绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压
(lm386n-1, -3, lm386m-1) 15V
供应 电压 (lm386n-4) 22V
包装 消耗 (便条 3)
(lm386n) 1.25w
(lm386m) 0.73w
(lm386mm-1) 0.595w
输入 电压
±
0.4v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
运行 温度 0˚C 至 +70˚C
接合面 温度 +150˚C
焊接 信息
双-在-线条 包装
焊接 (10 秒) +260˚C
小 外形 包装
(soic 和 msop)
Vapor 阶段 (60 秒) +215˚C
Infrared (15 秒) +220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接
表面 挂载 设备.
热的 阻抗
θ
JC
(插件) 37˚c/w
θ
JA
(插件) 107˚c/w
θ
JC
(所以 包装) 35˚c/w
θ
JA
(所以 包装) 172˚c/w
θ
JA
(msop) 210˚c/w
θ
JC
(msop) 56˚c/w
电的 特性
(注释 1, 2)
T
一个
= 25˚C
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运行 供应 电压 (v
S
)
lm386n-1, -3, lm386m-1, lm386mm-1 4 12 V
lm386n-4 518V
安静的 电流 (i
Q
)v
S
= 6v, V
在
=0 4 8 毫安
输出 电源 (p
输出
)
lm386n-1, lm386m-1, lm386mm-1 V
S
= 6v, R
L
=8
Ω
, THD = 10% 250 325 mW
lm386n-3 V
S
= 9v, R
L
=8
Ω
, THD = 10% 500 700 mW
lm386n-4 V
S
= 16v, R
L
=32
Ω
, THD = 10% 700 1000 mW
电压 增益 (一个
V
)v
S
= 6v, f = 1 kHz 26 dB
10 µF 从 管脚 1 至 8 46 dB
带宽 (bw) V
S
= 6v, 管脚 1 和 8 打开 300 kHz
总的 调和的 扭曲量 (thd) V
S
= 6v, R
L
=8
Ω
,p
输出
= 125 mW 0.2 %
f = 1 khz, 管脚 1 和 8 打开
电源 供应 拒绝 比率 (psrr) V
S
= 6v, f = 1 khz, C
绕过
=10µF 50 dB
管脚 1 和 8 打开, 涉及 至 输出
输入 阻抗 (r
在
) 50 k
Ω
输入 偏差 电流 (i
偏差
)v
S
= 6v, 管脚 2 和 3 打开 250 nA
便条 1:
所有 电压 是 量过的 和 遵守 至 这 地面 管脚, 除非 否则 指定.
便条 2:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 运行 比率 表明 情况 为 这个 这 设备 是 func-
tional, 但是 做 不 保证 明确的 效能 限制. 电的 特性 状态 直流 和 交流 电的 规格 下面 particular 测试 情况 这个 guar-
antee 明确的 效能 限制. 这个 假设 那 这 设备 是 在里面 这 运行 比率. 规格 是 不 有保证的 为 参数 在哪里 非 限制 是
给, 不管怎样, 这 典型 值 是 一个 好的 indication 的 设备 效能.
便条 3:
为 运作 在 包围的 温度 在之上 25˚c, 这 设备 必须 是 derated 为基础 在 一个 150˚C 最大 接合面 温度 和 1) 一个 热的 resis-
tance 的 107˚c/w 接合面 至 包围的 为 这 双-在-线条 包装 和 2) 一个 热的 阻抗 的 170˚c/w 为 这 小 外形 包装.
LM386
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