1999 Apr 23 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 2n5550; 2n5551
热的 特性
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 200 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
2N5550 I
E
= 0; v
CB
= 100 V
−
100 nA
I
E
= 0; v
CB
= 100 v; t
amb
= 100
°
C
−
100
µ
一个
集电级 截-止 电流
2N5551 I
E
= 0; v
CB
= 120 V
−
50 nA
I
E
= 0; v
CB
= 120 v; t
amb
= 100
°
C
−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=4V
−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 毫安; v
CE
= 5 v; 看 图.2
2N5550 60
−
2N5551 80
−
直流 电流 增益 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 5 v; 看 图.2
2N5550 60 250
2N5551 80 250
直流 电流 增益 I
C
= 50 毫安; v
CE
= 5 v; 看 图.2
2N5550 20
−
2N5551 30
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
−
150 mV
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 50 毫安; i
B
=5mA
2N5550
−
250 mV
2N5551
−
200 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
=1mA
−
1V
I
C
= 50 毫安; i
B
=5mA
−
1V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 MHz
−
6pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
= 0.5 v; f = 1 MHz
−
30 pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 10 v; f = 100 MHz 100 300 MHz
F 噪音 figure I
C
= 200
µ
一个; v
CE
=5v; r
S
=2k
Ω
;
f = 10 Hz 至 15.7 kHz
2N5550
−
10 dB
2N5551
−
8dB
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