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IHW15N120R2
软 切换 序列
电源 半导体
2 rev. 1.2    将 06
热的 阻抗
参数 标识 情况 最大值 值
单位
典型的
igbt 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJC
0.52
二极管 热的 阻抗,
接合面 – 情况
R
thJCD
0.47
热的 阻抗,
接合面 – 包围的
R
thJA
40
k/w
电的 典型的,
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
静态的 典型的
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ces
V
GE
=0v,
I
C
=500
µ
一个
1200 - -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
V
GE
= 15v,
I
C
=15A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=175
°
C
-
-
-
1.5
1.7
1.8
1.75
-
-
二极管 向前 电压
V
F
V
GE
=0v,
I
F
=15A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=175
°
C
-
-
-
1.45
1.55
1.6
1.65
-
-
门-发射级 门槛 电压
V
ge(th)
I
C
=0.4ma,
V
CE
=
V
GE
5.1 5.8 6.4
V
零 门 电压 集电级 电流
I
CES
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=175
°
C
-
-
-
-
5
2500
µA
门-发射级 泄漏 电流
I
GES
V
CE
=0v,
V
GE
=20V
- - 100 na
跨导
g
fs
V
CE
=20v,
I
C
=15A
- 11.7 - s
整体的 门 电阻
R
Gint
毫无
Ω

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IHW15N120R2 软切换序列电源半导体 2 rev. 1.2 将 06 热的阻抗参数标识情况最大值值单位典型的 igbt 热的阻抗, 接合面 – 情况 R thJC 0.52 二极管热的阻抗, 接合面 – 情况 R thJCD 0.47 热的阻抗, 接合面 – 包围的 R thJA 40 k/w 电的典型的, 在 T j = 25 ° c, 除非否则指定值参数标识情况最小值典型值最大值单位静态的典型的集电级-发射级损坏电压 V (br)ces V GE =0v, I C =500 µ 一个 1200 - - 集电级-发射级饱和电压 V ce(sat) V GE = 15v, I C =15A T j =25 ° C T j =125 ° C T j =175 ° C - - - 1.5 1.7 1.8 1.75 - - 二极管向前电压 V F V GE =0v, I F =15A T j =25 ° C T j =125 ° C T j =175 ° C - - - 1.45 1.55 1.6 1.65 - - 门-发射级门槛电压 V ge(th) I C =0.4ma, V CE = V GE 5.1 5.8 6.4 V 零门电压集电级电流 I CES V CE =1200V , V GE =0V T j =25 ° C T j =175 ° C - - - - 5 2500 µA 门-发射级泄漏电流 I GES V CE =0v, V GE =20V - - 100 na 跨导 g fs V CE =20v, I C =15A - 11.7 - s 整体的门电阻 R Gint 毫无 Ω

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