dw01 加
一个 cell lithium-ion/polymer 电池 保护 ic
D
D
e
e
s
s
i
i
g
g
n
n
G
G
u
u
i
i
d
d
e
e
1. 选择
的
外部
控制
场效应晶体管
因为 这 overcurrent 保护 电压 是 preset,这 门槛 电流 为overcurrent 发现 是
决定 用 这 转变-在 阻抗 的 这 承担 和 释放 控制 mosfets. 这 转变-在
阻抗 的 这 外部 控制 mosfets 能 是 决定 用 这 等式: r
在
=
V
OIP
/
(2 x i
T
) (i
T
是 这 overcurrent 门槛 电流). 为 example, 如果 这 overcurrent 门槛 电流 i
T
是 设计 至
是 3a, 这 转变-在 阻抗 的 这外部 控制 场效应晶体管 必须 是 25m
Ω
. 是 知道 那 转变-在
阻抗 的 这 场效应晶体管 改变 和 温度 变化 预定的 至 热温 消耗. 它 改变 和
这 电压 在 门 和 源 作 好. (turn-在 阻抗 的 场效应晶体管 增加 作 这
电压 在 门 和 源 减少). 作 这 转变-在 阻抗 的 这 外部 场效应晶体管
改变, 这 设计 的 这 overcurrent threshold 电流 改变 accordingly.
2. suppressing
这
波纹
和
Disturbance
从
Charger
至 压制 这 波纹 和 disturbance 从 charger, 连接 r1 和 c1 至 v
CC
是 推荐.
3. 保护
这
CS
管脚
r2 是 使用 为 获得-向上 保护 当 charger 是 连接 下面 overdischarge 情况 和
超载 保护 在 reverse 连接 的 一个 charger.
fortune 半导体 co. 电话
: +886-2-2809-4742
7/11
td-0405001 rev. 1.0
http://www.fsc.com.tw
传真: +886-2-2809-4874
: 点此下载
