电的 特性 L6599
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5 电的 特性
T
J
= 0 至 105°c, v
CC
= 15v, v
激励
= 15v, c
HVG
= c
LVG
= 1nf; c
F
= 470pf;
R
RFmin
= 12k
Ω
; 除非 否则 指定.
表格 4. 电的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
ic 供应 电压
V
CC
运行 范围 之后 设备 转变-在 8.85 16 V
V
cc(在)
转变-在 门槛 电压 rising 10 10.7 11.4 V
V
cc(止)
转变-止 门槛 Voltage 下落 7.45 8.15 8.85 V
hys hysteresis 2.55 V
V
Z
V
CC
clamp 电压
iclamp = 10ma 16 17 17.9 V
供应 电流
I
开始-向上
开始-向上 电流
在之前 设备 转变-在
V
CC
= v
cc(在)
- 0.2v
200 250 µA
I
q
安静的 电流
设备 在, v
STBY
= 1v
1.5 2 毫安
I
运算
运行 电流
设备 在,
V
STBY
= v
RFmin
3.5 5 毫安
I
q
residual 消耗量
V
DIS
> 1.85v 或者 v
延迟
> 3.5v 或者 v
线条
< 1.25 v
或者 v
线条
= v
clamp
300 400 µA
高-一侧 floating门-驱动 供应
I
LKBOOT
V
激励
管脚 泄漏
电流
V
激励
= 580v
5 µa
I
LKOUT
输出 管脚 泄漏 电流
V
输出
= 562v
5 µa
r
ds(在)
同步的 自举
二极管 在-阻抗
V
LVG
= 高
150
Ω
overcurrent 比较器
I
ISEN
输入 偏差 电流
V
ISEN
= 0 至 v
ISENdis
-1 µa
t
LEB
leading 边缘 blanking
之后 v
HVG
和 v
LVG
低-至-高 转变
250 ns
V
ISENx
频率 变换
门槛
电压 rising
(1)
0.76 0.8 0.84 V
hysteresis 电压 下落 50 mv
V
ISENdis
获得 止 门槛
电压 rising
(1)
1.44 1.5 1.56 V
td
(h-l)
延迟 至 输出 300 400 ns
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