电的 特性
V
S
=
9
±
10%v, V
EE
=–
9
±
10%V ,t
amb
=
0to75
o
c, 除非 否则 指定
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位 图.
I
IL
输入 电流 低 逻辑 StateV
IL
= 0V 1 1.6 毫安 1
I
IH
输入 电流 高 逻辑 StateV
IH
=5V 10
µ
A1
V
OH
Output 电压
高 逻辑 StateR
L
=3k
Ω
V
IL
=0.8v,v
S
= 9v, V
EE
=–9V
V
IL
=0.8v,v
S
= 13.2v, V
EE
= –13.2v
6
9
7
10.5
V
2
2
V
OL
Output 电压 低 逻辑 State
V
IH
= 1.9v, V
EE
= –9v, V
S
=9V
V
IH
= 1.9v, V
EE
= –13.2v, V
S
=13.2v
-6
-9
-7
-10.5
V
2
2
I
OS
+
* 积极的 输出 短的-电路
电流 6 10 12
毫安 3
I
OS
–
* 负的 Output 短的-电路
电流 -6 -10 -12
毫安 3
R
O
Output 阻抗
V
S
=V
EE
=0V
ol
=
±
2V
300
Ω
4
I
s
积极的 供应 电流
(r
i
=
∞
)
V
IH
=1.9v V
s
=9V
V
IL
=0.8v V
s
=9V
V
IH
=1.9v V
s
= 12V
V
IL
=0.8v V
s
=12V
V
IH
=1.9v V
s
= 15V
V
IL
=0.8v V
s
=15V
15
4.5
19
5.5
20
6
25
7
34
12
毫安 5
I
EE
负的 供应 电流
(r
L
=
∞
)
V
IH
=1.9v V
s
= -9v
V
IL
=0.8v V
s
=-9v
V
IH
=1.9v V
s
= -12v
V
IL
=0.8v V
s
=-12v
V
IH
=1.9v V
s
= -15v
V
IL
=0.8v V
s
=-15v
-13
-18
-17
-15
-23
-15
-34
-2.5
毫安
µ
一个
毫安
µ
一个
毫安
毫安
5
P
c
电源 消耗量 V
S
=9V V
EE
= -9v
V
S
=12V V
EE
= -12v
333
567
mW
绝对 最大 比率
Symbol Parameter Test Conditions Unit
V
S
电源 供应 电压 15 V
V
EE
电源 供应 电压 –15 V
V
IR
输入 电压 范围 –15
≤
V
IR
≤
7V
V
O
输出放 信号 电压
±
15 V
T
amb
运行 包围的 Temperature 0 至 75
o
C
T
stg
Storage 温度 范围 –65 至 150
o
C
热的 数据
标识 参数 Plastic DIP14 陶瓷的 DIP14 SO14
R
th j-amb
热的 Resistance 接合面-包围的最大值 200
o
c/w 165
o
c/w 165
o
c/w
切换 特性
V
S
=
±
9
±
1v, V
EE
=–
9
±
1%V ,t
amb
=
25
o
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位 图.
t
PHL
传播 延迟 Time
Z
i
=3k
Ω
和 15pF
275 350 ns 6
t
THL
下降 Time
Z
i
=3k
Ω
和 15pF
45 75 ns 6
t
PHL
传播 延迟 Time
Z
i
=3k
Ω
和 15pF
110 175 ns 6
t
THL
上升 时间
Z
i
=3k
Ω
和 15pF
55 100 ns 6
* 毫安ximum p一个ckage power dissipation may be exceeded if 一个ll outputs 是 shorted simultaneously.
MC1488
2/9