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04/07/06
IRFI4229PbF
注释
通过
是 在 页 8
描述
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管
场效应晶体管
特性
先进的 处理 技术
关键 参数 优化 为 pdp 支持,
活力 恢复 和 通过 转变 产品
低 e
脉冲波
比率 至 减少 电源
消耗 在 pdp 支持, 活力 恢复
和 通过 转变 产品
低 q
G
为 快 回馈
高 repetitive 顶峰 电流 能力 为
可依靠的 运作
短的 下降 &放大; 上升 时间 为 快 切换
150°c 运行 接合面 温度 为
改进 强壮
repetitive avalanche 能力 为 robustness
和 可靠性
S
D
G
GDS
门 流 源
D
S
D
G
至-220ab 全部-pak
绝对 最大 比率
参数 单位
V
GS
门-至-源 电压 V
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
DM
搏动 流 电流
I
RP
@ t
C
= 100°c
repetitive 顶峰 电流
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗 W
P
D
@T
C
= 100°c
电源 消耗
直线的 减额 因素 w/°c
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw N
热的 阻抗
参数
典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
––– 2.73 °c/w
R
θ
JA
Juncti在-至-Ambient
––– 65
32
300
-40 至 + 150
10lb
在 (1.1n
m)
46
18
0.37
最大值
12
72
19
±30
V
DS
最大值
250 V
V
ds (avalanche)
典型值
300 V
R
ds(在)
典型值 @ 10v
38
m
I
RP
最大值 @ t
C
= 100°c
32 一个
T
J
最大值
150 °C
关键 参数
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